EtronTech
1m x 16 sdram
EM636165
初步的
2
rev. 1.8 十一月 2001
Overview
这 em636165 sdram 是 一个 高-速 cmos 同步的 dram containing 16 mbits. 它 是 内部 配置
作 一个 双 512k x 16 位 dram 和 一个 同步的 接口 (所有 信号 是 注册 在 这 积极的 边缘 的 这 时钟
信号, clk). 各自 的 这 512k x 16 位 bank 是 有组织的 作 2048 rows 用 256 columns 用 16 位. 读 和 写
accesses 至 这 sdram 是 burst 朝向; accesses 开始 在 一个 选择 location 和 continue 为 一个 编写程序 号码
的 locations 在 一个 编写程序 sequence.
这 em636165 提供 为 可编程序的 读 或者 写 burst 长度 的 1, 2, 4, 8, 或者 全部 page, 和 一个 burst
末端 选项. 一个 自动 precharge 函数 将 是 使能 至 提供 一个 自-安排时间 行 precharge 那 是 initiated 在
这 终止 的 这 burst sequence. 这 refresh 功能, 也 自动 或者 自 refresh 是 容易 至 使用. 用 having 一个
可编程序的 模式 寄存器, 这 系统 能 choose 这 大多数 合适的 模式 至 maximize 它的 效能. 这些
设备 是 好 suited 为 产品 需要 高 记忆 带宽 和 特别 好 suited 至 高 效能
pc 产品.
块 图解
REFRESH
计数器
COLUMN
计数器
地址
缓存区
A0
A11
控制
信号
发生器
LDQM
UDQM
时钟
缓存区
COMMAND
解码器
column 解码器
sense 放大器
行 解码器
2048 x 256 x 16
cell 排列
(bank #0)
sense 放大器
column 解码器
行 解码器
2048 x 256 x 16
cell 排列
(bank #1)
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
DQ0
D
DQ15
dqs 缓存区
模式
寄存器
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