flash 记忆
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初步的
K9G8G08U0M
K9LAG08U1M
一般 描述
特性
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电压 供应 : 2.7 v ~ 3.6 v
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Organization
- 记忆 cell 排列 : (1g + 32m)位 x 8bit
- 数据 寄存器 : (2k + 64)位 x8bit
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自动 程序 和 擦掉
- 页 程序 : (2k + 64)字节
- 块 擦掉 : (256k + 8k)字节
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页 读 运作
- 页 大小 : (2k + 64)字节
- 随机的 读 : 60
µ
s(最大值.)
- 串行 进入 : 30ns(最小值.)
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记忆 cell : 2bit / 记忆 cell
1g x 8 位 / 2g x 8位 与非 flash 记忆
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快 写 循环 时间
- 程序 时间 : 800
µ
s(典型值.)
- 块 擦掉 时间 : 1.5ms(典型值.)
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command/地址/数据 多路复用 i/o 端口
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硬件 数据 保护
- 程序/擦掉 lockout 在 电源 transitions
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可依靠的 cmos floating-门 技术
- 忍耐力 : 5k 程序/擦掉 循环(和 4bit/512byte ecc)
- 数据 保持 : 10 年
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command 寄存器 运作
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唯一的 id 为 版权 保护
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包装 :
- k9g8g08u0m-pcb0/pib0 : 铅-自由 包装
48 - 管脚 tsop i (12 x 20 / 0.5 mm 程度)
- k9g8g08u0m-icb0/iib0
52 - 管脚 ulga (12 x 17 / 1.00 mm 程度)
- k9lag08u1m-icb0/iib0
52 - 管脚 ulga (12 x 17 / 1.00 mm 程度)
offered 在 1gx8bit, 这 k9g8g08u0m 是 一个 8g-位 与非 flash memory 和 spare 256m-位. 它的 与非 cell 提供 这 大多数 费用-
有效的 解决方案 为 这 固体的 状态 mass 存储 毫安rket. 一个 程序 运作 能 是 执行 在 典型 800
µ
s 在 这 2,112-字节
页 和 一个 擦掉 运作 能 是 执行 在 典型 1.5ms 在 一个(256k+8k)字节 块. 数据 在 这 数据 寄存器 能 是 读 out
在 30ns 循环 时间 每 字节. 这 i/o 管脚提供 作 这 端口 为 地址 和 数据 输入/输出 作 好 作 command 输入. 这 在-碎片
写 控制 automates 所有 程序 和擦掉 功能 包含 脉冲波 repetition,在哪里 必需的, 和 内部的 verification 和
margining 的 数据. 甚至 这 写-intensive 系统 能 引领 有利因素 的 这 k9g8g08u0m
′
s 扩展 可靠性 的 5k 程序/
擦掉 循环 用 供应 ecc(错误 准确无误的ing 代号) 和 real 时间 mapping-输出 algorithm. 这 k9g8g08u0m 是 一个 最佳的 solu-
tion 为 大 nonvolatile 存储 applications 此类 作 固体的 状态 文件 存储和 其它 可携带的 产品 需要 非-vol一个tility.
产品 列表
部分 号码 vcc 范围 Organization pkg 类型
k9g8g08u0m-p
2.7v ~ 3.6v X8
TSOP1
k9g8g08u0m-i
52ULGA
k9lag08u1m-i
www.datasheet4u.com
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