4
3595h–dflash–03/07
AT45DB041D
4. 记忆 排列
至 提供 最优的 flexibility, the 记忆 排列 的 这 at45db041d是 分隔 在 三 水平 的
granularity comprising 的 sectors, blocks, 和页. 这 “memory architecture diagram” illus-
trates 这 损坏 的 各自 水平的 和 详细信息 the 号码 的 页 每 sector 和 块. 所有
程序 行动 至 这 dataflash 出现 在 一个 页-用-页 基准. 这 擦掉 行动 能
是 执行 在 这 碎片, sector, 块 或者 页 水平的.
图示 4-1.
记忆 architecture 图解
5. 设备 运作
这 设备 运作 是 控制 用 说明 从 这 host 处理器. 这 列表 的 说明
和 它们的 有关联的 opcodes 是 包含 在tables 15-1 通过15-7. 一个 有效的 操作指南
开始 和 这 下落 边缘 的 cs
followed 用 这 适合的 8-位 opcode 和 这 desired 缓存区
或者 主要的 记忆 地址 location. 当 这 cs
管脚 是 低, toggling 这 sck 管脚 控制 这
加载 的 这 opcode 和 这 desired 缓存区 或者 主要的 记忆 地址 location 通过 这 si
(串行 输入) 管脚. 所有 说明, addresses, 和 数据 是 transferred 和 这 大多数 重大的
位 (msb) 第一.
缓存区 寻址 为 这 dataflash 标准 页 大小 (264 字节) 是 关联 在 这
数据手册 使用这 terminology bea8 - bfa0 至 denote the 9 地址 位 required 至 designate
一个 字节 地址 在里面 一个 缓存区. 主要的 记忆 寻址 是 关联 使用 这 terminology
pa10 - pa0 和 ba8 - ba0, 在哪里 pa10 - pa0 denotes 这 11 地址 位 必需的 至 desig-
nate 一个 页 地址 和 ba8 - ba0 denotes 这 9地址 位 必需的 至 designate 一个 字节
地址 在里面 这 页.
为 这 “power 的 2” 二进制的 页 大小 (256 字节), 这 缓存区 寻址 是 关联 在 这
数据手册 使用 这 常规的 terminology bfa7 - bfa0 至 denote 这 8 地址 位
必需的 至 designate 一个 字节 地址 在里面 一个 缓存区. 主要的 记忆 寻址 是 关联
使用 这 terminology a18 - a0, 在哪里 a18 - a8denotes 这 11 地址 位 必需的 至 desig-
nate 一个 页 地址 和 a7 - a0 denotes 这 8 地址 位 必需的 至 designate 一个 字节
地址 在里面 一个 页.
S
ector 0a =
8
Pa
g
e
s
2,04
8
/2,112 字节
s
S
ector 0b = 24
8
Pa
g
e
s
6
3
,4
88
/65,472 字节
s
块 = 2,04
8
/2,112 字节
s
8
Pa
g
e
s
S
ector 0a
S
ector 0b
Pa
g
e = 256/264 字节
s
PAGE0
PAGE1
PAGE6
PAGE7
PAGE
8
PAGE9
页 2,046
页 2,047
块 0
页 14
页 15
页 16
页 17
PAGE1
8
块 1
S
ector architecture 块 architecture 页 architecture
块 0
块 1
块
3
0
块
3
1
块
3
2
块
33
块 254
块 255
块 62
块 6
3
块 64
块 65
S
ector 1
S
ector 7 = 256 pa
g
e
s
65,5
3
6/67,5
8
4 字节
s
块 2
S
ector 1 = 256 pa
g
e
s
65,5
3
6/67,5
8
4 字节
s
S
ector 6 = 256 pa
g
e
s
65,5
3
6/67,5
8
4 字节
s
S
ector 2 = 256 pa
g
e
s
65,5
3
6/67,5
8
4字节
s
: 点此下载
