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512mb: x4, x8, x16 sdram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
512msdram_d.p65
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rev. d; pub 1/02 ©2000, micron 技术, 公司
512mb: x4, x8, x16
SDRAM
进步
burst terminate
这 burst terminate command 是 使用 至 trun-
cate 也 fixed-长度 或者 全部-页 bursts. 这 大多数
recently 注册 读 或者 写 command 较早的 至
这 burst terminate command 将 是 truncated, 作
显示 在 这 运作 部分 的 这个 数据 薄板.
自动 refresh
自动 refresh 是 使用 在 正常的 运作 的
这 sdram 和 是 analogous 至 cas#-在之前-ras#
(cbr) refresh 在 常规的 drams. 这个 command
是 nonpersistent, 所以 它 必须 是 issued 各自 时间 一个 refresh
是 必需的. 所有 起作用的 banks 必须 是 precharged 较早的
至 issuing 一个 自动 refresh comand. 这 自动 re-
fresh command 应当 不 是 issued 直到 这 迷你-
mum trp 有 被 符合 之后 这 precharge command
作 显示 在 这 行动 部分.
这 寻址 是 发生 用 这 内部的 refresh
控制. 这个 制造 这 地址 位 “don’t care”
在 一个 自动 refresh command. 这 512mb sdram
需要 8,192 自动 refresh 循环 每 64ms (
t
ref),
regardless 的 宽度 选项. 供应 一个 distributed 自动
refresh command 每 7.81µs 将 满足 这 refresh
必要条件 和 确保 那 各自 行 是 refreshed. 改变-
natively, 8,192 自动 refresh commands 能 是 issued
在 一个 burst 在 这 最小 循环 比率 (
t
rc), once 每
64ms.
自 refresh
这 自 refresh command 能 是 使用 至 retain
数据 在 这 sdram, 甚至 如果 这 rest 的 这 系统 是
powered 向下. 当 在 这 自 refresh 模式, 这 sdram
retains 数据 没有 外部 clocking. 这 自 re-
fresh command 是 initiated 像 一个 自动 refresh
command 除了 cke 是 无能 (低). once 这 自
refresh command 是 注册, 所有 这 输入 至 这
sdram 变为 “don’t care” 和 这 例外 的 cke,
这个 必须 仍然是 低.
once 自 refresh 模式 是 engaged, 这 sdram pro-
vides 它的 自己的 内部的 clocking, 造成 它 至 执行 它的
自己的 自动 refresh 循环. 这 sdram 必须 仍然是 在
自 refresh 模式 为 一个 最小 时期 equal 至
t
RAS
和 将 仍然是 在 自 refresh 模式 为 一个 indefinite
时期 在之外 那.
这 程序 为 exiting 自 refresh 需要 一个 se-
quence 的 commands. 第一, clk 必须 是 稳固的 (稳固的
时钟 是 定义 作 一个 信号 cycling 在里面 定时 con-
straints 指定 为 这 时钟 管脚) 较早的 至 cke going
后面的 高. once cke 是 高, 这 sdram 必须 有
nop commands issued (一个 最小 的 二 clocks) 为
t
xsr 因为 时间 是 必需的 为 这 completion 的 任何
内部的 refresh 在 progress.
在之上 exiting 这 自 refresh 模式, 自动 refresh
commands 必须 是 issued 每 7.81µs 或者 较少 作 两个都
自 refresh 和 自动 refresh utilize 这 行 re-
fresh 计数器.
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