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512mb: x4, x8, x16 sdram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
512msdram_d.p65
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rev. d; pub 1/02 ©2000, micron 技术, 公司
512mb: x4, x8, x16
SDRAM
进步
表格 的 内容
F
unctional 块 图解 – 128 meg x 4 .................... 4
函数的 块 图解 – 64 meg x 8 ................... 5
函数的 块 图解 – 32 meg x 16 ................. 6
管脚 描述 ........................................................... 7
函数的 描述
............................................... 8
Initialization ............................................................ 8
寄存器 定义 .................................................. 8
模式 寄存器 .................................................... 8
burst 长度 ................................................. 8
burst 类型 .................................................... 9
cas latency ................................................. 10
运行 模式 ........................................... 10
写 burst 模式 ......................................... 10
Commands
.................................................................... 11
真实 表格 1 (commands 和 dqm 运作)
............ 11
command inhibit ................................................... 12
非 运作 (nop) ............................................... 12
加载 模式 寄存器 ................................................ 12
起作用的 ....................................................................... 12
读 ....................................................................... 12
写 ....................................................................... 12
Precharge ................................................................. 12
自动 precharge ........................................................ 12
burst terminate ...................................................... 13
自动 refresh ............................................................ 13
自 refresh .............................................................. 13
运作
...................................................................... 14
bank/行 触发 .............................................. 14
读 ....................................................................... 16
写 ....................................................................... 21
Precharge ................................................................. 23
电源-向下 ............................................................ 23
时钟 suspend ......................................................... 24
burst 读/单独的 写 ......................................... 24
concurrent 自动 precharge ................................... 25
真实 表格 2 (cke)
..................................................... 27
真实 表格 3 (电流 状态, 一样 bank)
...................... 28
真实 表格 4 (电流 状态, 不同的 bank)
................. 30
绝对 最大 比率 ........................................ 32
直流 电的 特性 和 运行
情况 ................................................................ 32
I
DD
规格 和 情况 .............................. 32
电容 ................................................................... 33
交流 电的 特性
(定时 表格) ............ 33
定时 波形
initialize 和 加载 模式 寄存器 ......................... 36
电源-向下 模式 ................................................. 37
时钟 suspend 模式 .............................................. 38
自动 refresh 模式 ................................................. 39
自 refresh 模式 ................................................... 40
读
读 – 没有 自动 precharge ....................... 41
读 – 和 自动 precharge ............................. 42
单独的 读 – 没有 自动 precharge ............ 43
单独的 读 – 和 自动 precharge ................. 44
alternating bank 读 accesses ...................... 45
读 – 全部-页 burst ...................................... 46
读 – dqm 运作 .................................... 47
写
写 – 没有 自动 precharge ...................... 48
写 – 和 自动 precharge ............................ 49
单独的 写 – 没有 自动 precharge ........... 50
单独的 写 – 和 自动 precharge ................. 51
alternating bank 写 accesses ..................... 52
写 – 全部-页 burst ..................................... 53
写 – dqm 运作 .................................... 54
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