3209
和
3210
微小功率,
过激-敏感的
通道-效应 switches
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3
电的 特性 和 c
绕过
= 0.1
µ
f,
在 运行 电压 和 温度 范围 (除非 否则 指定).
限制
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
运作 点 B
OPS
南 柱子 至 打烙印 一侧 – 30 60 G
B
OPN
北 柱子 至 打烙印 一侧 -60 -35 – G
释放 点 B
RPS
南 柱子 至 打烙印 一侧 5.0 22 – G
B
RPN
北 柱子 至 打烙印 一侧 – -27 -5.0 G
Hysteresis B
hys
|B
OPx
- b
RPx
| – 7.7 – G
注释: 1. 作 使用 here, 负的 通量 densities 是 定义 作 较少 比 零 (algebraic convention) 和 -50 g 是 较少 比 +10 g.
2. 典型 数据 是 在 t
一个
= +25
°
c 和 v
DD
= 2.75 v 和 是 为 设计 信息 仅有的.
有磁性的 特性 和 c
绕过
= 0.1
µ
f,
在 运行 电压 和 温度 范围 (除非 否则 指定).
限制
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 范围 V
DD
运行
1)
2.5 2.75 3.5 V
输出 泄漏 电流 I
止
V
输出
= 3.5 v, b
RPN
< b < b
RPS
– «1.0 1.0
µ
一个
输出 在 电压 V
输出
I
输出
= 1 毫安, v
DD
= 2.5 v – 105 300 mV
awake 时间 t
awake
30 60 90
µ
s
时期 t
时期
A3209Ex 240 480 720
µ
s
A3210Ex 30 60 90 ms
职责 循环 d.c. A3209Ex – 12.5 – %
A3210Ex – 0.10 – %
chopping 频率 f
C
– 340 – kHz
供应 电流 I
dd(en)
碎片 awake (使能) 0.1 – 3.0 毫安
(2.5
≤
V
DD
≤
3.5 v)
I
dd(dis)
碎片 asleep (无能) 1.0 10 50
µ
一个
I
dd(avg)
a3209ex, v
DD
= 2.75 v – 145 425
µ
一个
a3209ex, v
DD
= 3.5 v – 195 425
µ
一个
a3210ex, v
DD
= 2.75 v – 8.8 25
µ
一个
a3210ex, v
DD
= 3.5 v – 13 60
µ
一个
注释: 1. 运作 和 释放 点 将 相异 和 供应 电压.
2. b
OPx
= 运作 要点 (输出 转变 在); b
RPx
= 释放 要点 (输出 转变 止).
3. 典型 数据 是 在 t
一个
= +25
°
c 和 v
DD
= 2.75 v 和 是 为 设计 信息 仅有的.
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