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肖特基 屏障 二极管 (sbd)
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ma3x721d, ma3x721e
I
F

V
F
I
R

V
R
V
F

T
一个
C
t

V
R
I
R

T
一个
10
−
2
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
10
−
1
1
10
10
2
10
3
向前 电压   v
F
(
V
)
向前 电流   i
F
(
毫安
)
T
一个
=
150
°
C
−
20
°
C
100
°
C 25
°
C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
−
40 0 40 80 120 160 200
包围的 温度   t
一个
(
°
C
)
向前 电压   v
F
(
V
)
I
F
=
200 毫安
100 毫安
1 毫安
10
−
1
0 5 10 15 20 25 30
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
反转 电压   v
R
(
V
)
反转 电流   i
R
(
µ
一个
)
T
一个
=
150
°
C
100
°
C
25
°
C
0
4
8
12
16
20
24
28
32
0 5 10 15 20 25 30
反转 电压   v
R
(
V
)
终端 电容   c
t
(
pF
)
f
=
1 mhz
T
一个
=
25
°
C
1
−
40 0 40 80 120 160 200
10
10
2
10
3
10
4
10
5
包围的 温度   t
一个
(
°
C
)
反转 电流   i
R
(
µ
一个
)
V
R
=
30 v
10 v
5 v

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肖特基屏障二极管 (sbd) 2 ma3x721d, ma3x721e I F  V F I R  V R V F  T 一个 C t  V R I R  T 一个 10 − 2 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 10 − 1 1 10 10 2 10 3 向前电压 v F ( V ) 向前电流 i F ( 毫安 ) T 一个 = 150 ° C − 20 ° C 100 ° C 25 ° C 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 − 40 0 40 80 120 160 200 包围的温度 t 一个 ( ° C ) 向前电压 v F ( V ) I F = 200 毫安 100 毫安 1 毫安 10 − 1 0 5 10 15 20 25 30 10 5 10 4 10 3 10 2 10 1 反转电压 v R ( V ) 反转电流 i R ( µ 一个 ) T 一个 = 150 ° C 100 ° C 25 ° C 0 4 8 12 16 20 24 28 32 0 5 10 15 20 25 30 反转电压 v R ( V ) 终端电容 c t ( pF ) f = 1 mhz T 一个 = 25 ° C 1 − 40 0 40 80 120 160 200 10 10 2 10 3 10 4 10 5 包围的温度 t 一个 ( ° C ) 反转电流 i R ( µ 一个 ) V R = 30 v 10 v 5 v

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