©2001 硅 存储 技术, 公司
s71117-04-000 6/01 360
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这 sst 标志 和 superflash 是 注册 商标 的 硅 存储 技术, 公司
mpf 是 一个 商标 的 硅 存储 技术, 公司
这些 规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
数据 薄板
特性:
• 有组织的 作 128k x16 / 256k x16 / 512k x16
• 单独的 电压 读 和 写 行动
– 3.0-3.6v 为 sst39lf200a/400a/800a
– 2.7-3.6v 为 sst39vf200a/400a/800a
•
更好的 可靠性
–
忍耐力: 100,000 循环 (典型)
–
更好 比 100 年 数据 保持
•
低 电源 消耗量
–
起作用的 电流: 20 毫安 (典型)
–
备用物品 电流: 3 µa (典型)
•
sector-擦掉 能力
–
uniform 2 kword sectors
•
块-擦掉 能力
–
uniform 32 kword blocks
•
快 读 进入 时间
–
45 和 55 ns 为 sst39lf200a/400a
–
55 ns 为 sst39lf800a
–
70 和 90 ns 为 sst39vf200a/400a/800a
•
latched 地址 和 数据
•
快 擦掉 和 文字-程序
–
sector-擦掉 时间: 18 ms (典型)
–
块-擦掉 时间: 18 ms (典型)
–
碎片-擦掉 时间: 70 ms (典型)
–
文字-程序 时间: 14 µs (典型)
–
碎片 rewrite 时间:
2 秒 (典型) 为 sst39lf/vf200a
4 秒 (典型) 为 sst39lf/vf400a
8 秒 (典型) 为 sst39lf/vf800a
•
自动 写 定时
–
内部的 v
PP
一代
•
终止-的-写 发现
–
toggle 位
–
data# polling
•
cmos i/o 兼容性
•
电子元件工业联合会 标准
–
flash 可擦可编程只读存储器 pinouts 和 command sets
•
包装 有
–
48-含铅的 tsop (12mm x 20mm)
–
48-球 tfbga (6mm x 8mm)
产品 描述
这 sst39lf200a/400a/800a 和 sst39vf200a/400a/
800a 设备 是 128k x16 / 256k x16 / 512k x16 cmos
multi-目的 flash (mpf) 制造的 和 sst
’
s pro-
prietary, 高 效能 cmos superflash 技术.
这 分割-门 cell 设计 和 厚 oxide tunneling injector
attain 更好的 可靠性 和 manufacturability 对照的 和
alternate approaches. 这 sst39lf200a/400a/800a
写 (程序 或者 擦掉) 和 一个 3.0-3.6v 电源 供应. 这
sst39vf200a/400a/800a 写 (程序 或者 擦掉) 和 一个
2.7-3.6v 电源 供应. 这些 设备 遵从 至 电子元件工业联合会
标准 pinouts 为 x16 memories.
featuring 高 效能 文字-程序, 这
sst39lf200a/400a/800a 和 sst39vf200a/400a/
800a 设备 提供 一个 典型 文字-程序 时间 的 14
µsec. 这 设备 使用 toggle 位 或者 data# polling 至 发现
这 completion 的 这 程序 或者 擦掉 运作. 至 pro-
tect 相反 inadvertent 写, 它们 有 在-碎片 硬件
和 软件 数据 保护 schemes. 设计, manu-
factured, 和 测试 为 一个 宽 spectrum 的 产品,
这些 设备 是 offered 和 一个 有保证的 忍耐力 的
10,000 循环. 数据 保持 是 评估 在 更好 比 100
年.
这 sst39lf200a/400a/800a 和 sst39vf200a/400a/
800a 设备 是 suited 为 产品 那 需要 conve-
nient 和 economical updating 的 程序, 配置,
或者 数据 记忆. 为 所有 系统 产品, 它们 signifi-
cantly 改进 效能 和 可靠性, 当 lowering
电源 消耗量. 它们 本质上 使用 较少 活力 dur-
ing 擦掉 和 程序 比 alternative flash 科技.
当 程序编制 一个 flash 设备, 这 总的 活力 con-
sumed 是 一个 函数 的 这 应用 电压, 电流, 和
时间 的 应用. 自从 为 任何 给 电压 范围, 这
superflash 技术 使用 较少 电流 至 程序 和
有 一个 shorter 擦掉 时间, 这 总的 活力 consumed 在
任何 擦掉 或者 程序 运作 是 较少 比 alternative
flash 科技. 这些 设备 也 改进 flexibility
当 lowering 这 费用 为 程序, 数据, 和 配置
存储 产品.
这 superflash 技术 提供 fixed 擦掉 和 pro-
gram 时间, 独立 的 这 号码 的 擦掉/程序
循环 那 有 occurred. 因此 这 系统 软件
或者 硬件 做 不 有 至 是 修改 或者 de-评估 作 是
需要 和 alternative flash 科技, 谁的 擦掉
和 程序 时间 增加 和 accumulated 擦掉/pro-
gram 循环.
至 满足 表面 挂载 (所需的)东西, 这 sst39lf200a/
400a/800a 和 sst39vf200a/400a/800a 是 offered 在
两个都 48-含铅的 tsop 包装 和 48-球 tfbga 包装-
ages. 看 计算数量 1 和 2 为 pinouts.
2 mbit / 4 mbit / 8 mbit (x16) multi-目的 flash
sst39lf200a / sst39lf400a / sst39lf800a
sst39vf200a / sst39vf400a / sst39vf800a
sst39lf/vf200a / 400a / 800a3.0 &放大; 2.7v 2mb / 4mb / 8mb (x16) mpf memories
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