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资料编号:117763
 
资料名称:2SA715
 
文件大小: 29.73K
   
说明
 
介绍:
Silicon PNP Epitaxial
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SA715
3
最大 集电级 消耗 曲线
16
12
8
4
0 50 100 150 200
集电级 电源 消耗 p
C
(w)
情况 温度 t
C
(
°
c)
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 电流 i
C
(一个)
典型 输出 特性
–2.0
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
0 –1–2–3–4–5
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
–2 毫安
–4
–6
–8
–10
–12
–14
–17
–26
–23
–20
集电级 电流 i
C
(一个)
典型 转移 charecteristics
V
CE
= –2 v
–2.0
–1.0
–0.5
–0.2
–0.1
–0.05
–0.02
–0.01
0 –0.4 –0.8 –1.2–0.2 –0.5
T
C
= 75
°
C
25
–25
–1.0 –1.4
根基 至 emetter 电压 v
(v)
直流 电流 转移 比率 vs.
集电级 电流
240
200
160
120
80
40
0
–0.01 –0.02 –0.1 –0.5 –2–0.2 –1.0–0.05
V
CE
= –2 v
T
C
= 75
°
C
25
–25
直流 电流 转移 比率 h
FE
集电级 电流 i
C
(一个)
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