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资料编号：118165
 
资料名称：UPA862TD
 
文件大小： 135.07K
   
说明：
 
介绍:
NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
 
 


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典型 效能 曲线
(t
一个
= 25
°
c)
Q1
Q2
UPA862TD
集电级 电流, i
C
(毫安)
集电级 电流, i
C
(毫安)
嵌入 电源 增益, mag, msg
vs. 集电级 电流
嵌入 电源 增益, |s
21e
|
2
(db)
最大 有 增益, mag(db)
最大 稳固的 增益, msg(db)
嵌入 电源 增益, mag, msg
vs. 集电级 电流
嵌入 电源 增益, |s
21e
|
2
(db)
最大 有 增益, mag(db)
最大 稳固的 增益, msg(db)
V
CE
= 1 v
f = 1 ghz
5
15
100110
25
20
10
0
|S
21e
|
2
MAG
MSG
V
CE
= 1 v
f = 1 ghz
5
15
100110
20
10
0
|S
21e
|
2
MAG
MSG
集电级 电流, i
C
(毫安)
集电级 电流, i
C
(毫安)
嵌入 电源 增益, mag, msg
vs. 集电级 电流
嵌入 电源 增益, |s
21e
|
2
(db)
最大 有 增益, mag(db)
最大 稳固的 增益, msg(db)
嵌入 电源 增益, mag, msg
vs. 集电级 电流
嵌入 电源 增益, |s
21e
|
2
(db)
最大 有 增益, mag(db)
最大 稳固的 增益, msg(db)
V
CE
= 1 v
f = 2 ghz
5
15
100110
25
20
10
0
MAG
MSG
|S
21e
|
2
V
CE
= 1 v
f = 2 ghz
0
10
100110
15
5
-5
MAG
|S
21e
|
2
集电级 电流, i
C
(毫安)
嵌入 电源 增益, mag, msg
vs. 集电级 电流
嵌入 电源 增益, |s
21e
|
2
(db)
最大 有 增益, mag(db)
最大 稳固的 增益, msg(db)
集电级 电流, i
C
(毫安)
嵌入 电源 增益, mag, msg
vs. 集电级 电流
嵌入 电源 增益, |s
21e
|
2
(db)
最大 有 增益, mag(db)
V
CE
= 2 v
f = 2 ghz
5
15
100110
25
20
10
0
|S
21e
|
2
MAG
MSG
V
CE
= 2 v
f = 2 ghz
5
15
100110
-5
10
0
MAG
|S
21e
|
2
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