绝对 最大 比率
标识 参数 值 单位
V
CC
供应 电压 (管脚 29) 13.5 V
V
DD
供应 电压 (管脚 32) 5.7 V
V
在
最大值 电压 在 管脚 12
管脚 5
管脚 16
管脚 7
管脚 8, 9, 14, 20, 22
管脚 15, 18, 23, 24, 25, 26, 28
管脚 1, 2, 3, 4, 30, 31
1.8
4.0
5.5
6.4
8.0
V
CC
V
DD
V
V
V
V
V
V
V
VESD 静电释放 susceptibility 人 身体 模型,100pf 释放 通过 1.5k
Ω
EIAJ norm,200pf 释放 通过 0
Ω
2
300
kV
V
HSize Cur 最大值 Sourced 电流 (管脚 28)
最大值 Sunk 电流 (管脚 28)
2.5
100
毫安
µ
一个
T
stg
存储 温度 -40, +150
o
C
T
j
接合面 Temperature +150
o
C
T
oper
运行 温度 0, +70
o
C
9110-03.tbl
热的 数据
标识 参数 值 单位
R
th (j-一个)
接合面-包围的 Thermal 阻抗 最大值 65
o
c/w
9110-04.tbl
SYNCHRO 处理器
运行 情况
(v
DD
=5v,t
amb
=25
o
c)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
HsVR Horizontal Synchro 输入 电压 管脚 1 0 5 V
MinD 最小 Horizontal 输入 脉冲 持续时间 管脚 1 0.7
µ
s
Mduty 最大 Horizontal 输入 信号 职责 循环 管脚 1 25 %
VsVR Vertical Synchro 输入 电压 管脚 2 0 5 V
VSW 最小 Vertical Synchro 脉冲波 宽度 管脚 2 5
µ
s
VSmD 最大 Vertical Synchro 输入 职责 循环 管脚 2 15 %
VextM 最大 Vertical Synchro 宽度 在 TTL h/vcomposite 管脚 1 750
µ
s
电的 特性
(v
DD
=5v,t
amb
=25
o
c)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
VINTH Horizontal 和 Vertical 输入 门槛 电压
(管脚 1, 2)
低 水平的
高 水平的 2.2
0.8 V
V
RIN Horizontal 和 Vertical 拉-向上 电阻 管脚 1, 2 200 k
Ω
VOut 输出 电压 (管脚 4) 低 水平的
高 水平的
0
5
V
V
TfrOut 下落 和 Rising 输出 CMOS 缓存区 管脚 4, Cout = 20pF 200 ns
VHlock Horizontal 1st PLL 锁 输出 状态 (管脚 4) 锁
Unlocked
0
5
V
V
VoutT Extracted Vsync Integration 时间 (% 的 T
H
) 在 h/v
Composite
C0 = 820pF 26 35 %
I
2
C 读/写
电的 特性
(v
DD
=5v,t
amb
=25
o
c)
标识 参数 Test 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
2
C 处理器
Fscl 最大 时钟 Frequency 管脚 30 400 kHz
Tlow 低 时期 的 这 SCL 时钟 管脚 30 1.3
µ
s
T高 高 时期 的 这 SCL 时钟 管脚 30 0.6
µ
s
Vinth SDA 和 SCL 输入 门槛 管脚 30,31 2.2 V
VACK Acknowledge 输出 电压 在 SDA 输入 和 3mA 管脚 31 0.4 V
看 也 I
2
C 表格 控制 和 I2C Sub 地址 控制
9110-05.tbl
TDA9110
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