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1997 十一月 04 5
飞利浦 半导体 产品 规格
I
2
c-总线 控制 btsc 立体的/sap
解码器 和 音频的 处理器
TDA9855
组件 列表
electrolytic 电容
±
20%; foil 或者 陶瓷的 电容
±
10%; 电阻器
±
5%; 除非 否则 speciﬁed; 看 图.1.
组件 值 类型 REMARK
C1 10
µ
F electrolytic 63 V
C2 470 nF foil
−
C3 4.7
µ
F electrolytic 63 V
C4 220 nF foil
−
C5 10
µ
F electrolytic 63 v; i
leak
<
1.5
µ
一个
C6 2.2
µ
F electrolytic 16 V
C7 4.7
µ
F electrolytic 16 V
C8 15 nF foil
±
5%
C9 15 nF foil
±
5%
C10 2.2
µ
F electrolytic 63 V
C11 8.2 nF foil 或者 陶瓷的
±
5% smd 2220/1206
C12 150 nF foil
±
5%
C13 33 nF foil
±
5%
C14 5.6 nF foil 或者 陶瓷的
±
5% smd 2220/1206
C15 100
µ
F electrolytic 16 V
C16 4.7
µ
F electrolytic 63 V
C17 4.7
µ
F electrolytic 63 V
C18 100 nF foil
C19 10
µ
F electrolytic 63 V
C20 4.7
µ
F electrolytic 63 V
C21 47 nF foil
±
5%
C22 1
µ
F electrolytic 63 V
C23 1
µ
F electrolytic 63 V
C24 10
µ
F electrolytic 63 V
±
10%
C25 10
µ
F electrolytic 63 V
±
10%
C26 2.2
µ
F electrolytic 16 V
C27 2.2
µ
F electrolytic 63 V
C28 4.7
µ
F electrolytic 63 V
±
10%
C29 2.2
µ
F electrolytic 16 V
C30 8.2 nF foil 或者 陶瓷的
±
5% smd 2220/1206
C31 150 nF foil
±
5%
C32 33 nF foil
±
5%
C33 5.6 nF foil 或者 陶瓷的
±
5% smd 2220/1206
C34 100
µ
F electrolytic 16 V
C35 150 nF foil
±
5%
C36 4.7
µ
F electrolytic 16 V
C37 4.7
µ
F electrolytic 16 V
C39 4.7
µ
F electrolytic 16 V
C40 4.7
µ
F electrolytic 16 V

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1997 十一月 04 5 飞利浦半导体产品规格 I 2 c-总线控制 btsc 立体的/sap 解码器和音频的处理器 TDA9855 组件列表 electrolytic 电容 ± 20%; foil 或者陶瓷的电容 ± 10%; 电阻器 ± 5%; 除非否则 speciﬁed; 看图.1. 组件值类型 REMARK C1 10 µ F electrolytic 63 V C2 470 nF foil − C3 4.7 µ F electrolytic 63 V C4 220 nF foil − C5 10 µ F electrolytic 63 v; i leak < 1.5 µ 一个 C6 2.2 µ F electrolytic 16 V C7 4.7 µ F electrolytic 16 V C8 15 nF foil ± 5% C9 15 nF foil ± 5% C10 2.2 µ F electrolytic 63 V C11 8.2 nF foil 或者陶瓷的 ± 5% smd 2220/1206 C12 150 nF foil ± 5% C13 33 nF foil ± 5% C14 5.6 nF foil 或者陶瓷的 ± 5% smd 2220/1206 C15 100 µ F electrolytic 16 V C16 4.7 µ F electrolytic 63 V C17 4.7 µ F electrolytic 63 V C18 100 nF foil C19 10 µ F electrolytic 63 V C20 4.7 µ F electrolytic 63 V C21 47 nF foil ± 5% C22 1 µ F electrolytic 63 V C23 1 µ F electrolytic 63 V C24 10 µ F electrolytic 63 V ± 10% C25 10 µ F electrolytic 63 V ± 10% C26 2.2 µ F electrolytic 16 V C27 2.2 µ F electrolytic 63 V C28 4.7 µ F electrolytic 63 V ± 10% C29 2.2 µ F electrolytic 16 V C30 8.2 nF foil 或者陶瓷的 ± 5% smd 2220/1206 C31 150 nF foil ± 5% C32 33 nF foil ± 5% C33 5.6 nF foil 或者陶瓷的 ± 5% smd 2220/1206 C34 100 µ F electrolytic 16 V C35 150 nF foil ± 5% C36 4.7 µ F electrolytic 16 V C37 4.7 µ F electrolytic 16 V C39 4.7 µ F electrolytic 16 V C40 4.7 µ F electrolytic 16 V

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