数据 薄板 d15293ej4v0ds
2
ac05dsma,ac05fsma
最大 比率
参数 标识 ac05dsma ac05fsma 单位 remarks
非-repetitive 顶峰 止-状态 电压 V
DSM
500 700 v
−
repetitive 顶峰 止-状态 电压 V
DRM
400 600 v
−
有效的 在-状态 电流 I
t(rms)
5 (t
C
= 99°c) 一个 谈及 至
图示 11
和
12
.
surge 在-状态 电流 I
TSM
一个 谈及 至
图示 2
.
50 (50 hz 1 循环)
55 (60 hz 1 循环)
fusing 电流
∫
i
T
2
dt 10 (1 ms
≤
t
≤
10 ms) 一个
2
s
−
核心的 比率 上升 的 在-状态 电流 dI
T
/dt 50 一个/
µ
s
−
顶峰 门 电源 消耗 P
GM
3 (f
≥
50 hz, 职责
≤
10%) w
−
平均 门 电源 消耗 P
g(av)
0.3 w
−
顶峰 门 电流 I
GM
±1.5 (f
≥
50 hz, 职责
≤
10%) 一个
−
接合面 温度 T
j
−
40
～
+125
°
C
−
存储 温度 T
stg
−
55
～
+150
°
C
−
电的 特性 (t
j
= 25
°
c)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位 remarks
repetitive 顶峰 止-状态 电流 I
DRM
V
DM
= v
DRM
T
j
= 25°c
−
−
100
µ
一个
−
T
j
= 125°c
−
−
1 毫安
−
在-状态 电压 V
TM
I
TM
= 5 一个
−
−
1.8 v 谈及 至
图示 1
.
门 触发 电流 模式 i I
GT
V
DM
= 12 v, T
2
+, g+
−
−
10 毫安 谈及 至
图示 4
.
ii r
L
= 30
Ω
T
2
−
, g+
−
−
−
iii t
2
−
, g
−
−
−
10
iv t
2
+, g
−
−
−
10
门 触发 电压 模式 i V
GT
V
DM
= 12 v, T
2
+, g+
−
−
1.5 v 谈及 至
图示 4
.
ii r
L
= 30
Ω
T
2
−
, g+
−
−
−
iii t
2
−
, g
−
−
−
1.5
iv t
2
+, g
−
−
−
1.5
门 非-触发 电压 V
GD
T
j
= 125°c, v
DM
=
2
1
V
DRM
0.2
−
−
V
−
支持 电流 I
H
V
DM
= 24 v
−
10
−
毫安
−
核心的 比率 上升 的 止-状态 电压 dv/dt
T
j
= 125°c, v
DM
=
3
2
V
DRM
−
100
−
V
/µ
s
−
commutating 核心的 比率 上升 的
止-状态 电压
(dv/dt)c t
j
= 125°c,
(di
T
/dt)c =
−
2.7 一个/ms, v
D
= 400
V
5
−
−
V
/µ
s
−
热的 阻抗
便条
R
th(j-c)
接合面-至-情况 交流
−
−
4.2 °c/w 谈及 至
图示 13
.
便条
这 热的 阻抗 和 一个 50 hz 或者 60 hz sine波 电流, 作 显示 在 这 下列的 expression:
R
th(j-c)
=
)av(t
c(最大值)j
P
TT
−
T
j(最大值)
: 最大 接合面 温度
T
C
: 情况 温度
P
t(av)
: 平均 在-消耗
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