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描述
这 设备 cmos 动态 内存 有组织的 作 4,194,304 words x 4 位 和 扩展 数据 输出 进入
模式. 它 是 fabricated 和 一个 先进的 submicron cmos 技术 和 设计 至 运作 从 一个 单独的
3.3v oniy 电源 供应. 低 电压 运作 是 更多 合适的 至 是 使用 在 电池 backup, 可携带的 elec-
tronic 应用. lt 是 packaged 在 电子元件工业联合会 标准 26/24-管脚 塑料 soj 或者 tsop(ii).
特性
• 单独的 3.3v(%) 仅有的 电源 供应
• 高 速 t
RAC
acess 时间: 50/60ns
• 低 电源 消耗
- 起作用的 模式 : 432/396 mw (mas)
- 备用物品 模式: 0.54 mw (mas)
• 扩展 - 数据 - 输出(edo) 页 模式 进入
• i/o 水平的: cmos 水平的 (vcc = 3.3v)
• 2048 refresh 循环 在 32 ms(标准.) 或者 128 ms(s-版本)
• 4 refresh modesh:
-RAS仅有的 refresh
-CAS- 在之前 -RASrefresh
- hidden refresh
- 自-refresh(s-版本)
10
±
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