ad8055/ad8056
–10–
rev. b
电源 消耗 限制
和 一个 10 v 供应 (总的 v
CC
– v
EE
), 这 安静的 电源 dissi-
pation 的 这 ad8055 在 这 sot-23-5 包装 是 65 mw,
当 这 安静的 电源 消耗 的 这 ad8056 在 这
microsoic 是 120 mw. 这个 translates 在 一个 15.6
°
c 上升 在之上
这 包围的 为 这 sot-23-5 包装 和 一个 24
°
c 上升 为 这
microsoic 包装.
这 电源 dissipated 下面 重的 加载 情况 是 approxi-
mately equal 至 这 供应 电压 minus 这 输出 电压,
时间 这 加载 电流, 加 这 安静的 电源 计算 在之上.
这个 总的 电源 消耗 是 然后 multiplied 用 这 热的
阻抗 的 这 包装 至 find 这 温度 上升, 在之上
包围的, 的 这 部分. 这 接合面 温度 应当 是 保持
在下 150
°
c.
这 ad8055 在 这 sot-23-5 包装 能 dissipate 270 mW
当 这 ad8056 在 这 microsoic 包装 能 dissipate
325 mw (在 85
°
c 包围的) 没有 exceeding 这 最大
消逝 温度. 在 这 情况 的 这 ad8056, 这个 是 更好 比
1.5 v rms 在 50
Ω
, 足够的 至 accommodate 一个 4 Vp-p sine-波
信号 在 两个都 输出 同时发生地. 但是 自从 各自 输出 的
这 ad8055 或者 ad8056 是 有能力 的 供应 作 更 作
110 毫安 在 一个 短的 电路, 一个 持续的 短的 电路 情况
将 超过 这 最大 safe 接合面 温度.
电阻 选择
这 下列的 表格 是 提供 作 一个 手册 至 电阻 选择
为 维持 增益 flatness vs. 频率 为 各种各样的 值 的
增益.
–3 dB
带宽
增益 R
F
(
)r
I
(
) (mhz)
+1 0 — 300
+2 402 402 160
+5 1k 249 45
+10 909 100 20
驱动 电容的 负载
当 驱动 一个 电容的 加载, 大多数 运算 放大器 将 展览 顶峰-
ing 在 这 频率 回馈 just 在之前 这 频率 rolls 止.
图示 36 显示 这 responses 为 一个 ad8056 运动 在 一个 增益
的 +2, 和 一个 100
Ω
加载 那 是 shunted 用 各种各样的 值 的
电容. 它 能 是 seen 那 下面 这些 情况, 这 部分
是 安静的 稳固的 和 电容的 负载 的 向上 至 30 pf.
频率
–
MHz
5
4
–
5
0.3 5001 10 100
1
–
2
–
3
–
4
3
2
–
1
0
normalized 增益
–
dB
C
L
= 30pf
C
L
= 20pf
C
L
= 10pf
C
L
= 0pf
402
C
L
100
402
50
V
在
= 0dbm
图示 36. 电容的 加载 驱动
在 一般, 至 降低 peaking 或者 至 确保 这 稳固 为
大 值 的 电容的 负载, 一个 小 序列 电阻, r
s,
能
是 增加 在 这 运算 放大 输出 和 这 电容, c
L
. 为
这 建制 depicted 在 图示 37, 这 relationship 在 r
S
和
C
L
是 empirically 获得 和 是 显示 在 图示 38. r
S
是
选择 至 生产 较少 比 1 db 的 peaking 在 这 频率
回馈. 便条 也 那 之后 一个 sharp 上升 r
S
quickly settles 至
关于 25
Ω
.
V
在
= 0dbm
50
AD8055
V
输出
+5V
–
5V
402
402
6
7
2
3
4
C
L
0.1
F 10
F
0.1
F
10
F
R
S
场效应晶体管 探查
图示 37. 建制 为 r
S
vs. c
L
C
L
–
pF
R
S
–
0 27010 20 30 40 50 60
40
0
35
20
15
10
5
30
25
图示 38. R
S
vs. c
L
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