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初步的 技术的数据
rev. prc.
ADE7757
–6–
–Typical效能特性
TBD
图示 2. 错误 作 一个 % 读 在 温度 在-碎片
涉及 (pf=1)
TBD
图示 3. 错误 作 一个 % 的 读 在 温度 和
在-碎片 涉及 (pf=0.5)
TBD
图示 4. 错误 作 一个 % 的 读 在 温度 和
外部 涉及 (pf=1)
TBD
图示 5. 错误 作 一个 % 的 读 在 温度 和
外部 涉及 (pf=0.5)
TBD
图示 6. 错误 作 一个 %of 读 在 输入 频率
5 k
Ω
VDD
V2N
150nF
200
220V
150nF
V2P
200
602k
V1P
V1N
150nF
200
150nF
200
500
µΩ
40a 至
40mA
REF
在/输出
100nF
1
µ
F
100nF
10  f
µ
V
DD
agnd  dgnd
F1
F2
CF
保留
RCLKIN
S0
S1
SCF
10nF 10nF 10nF
U3
ps2501-1
K7
K8
U1
ADE7757
10k
V
DD
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
图示 7. 测试 电路 为 效能 曲线

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初步的技术的数据 rev. prc. ADE7757 –6– –Typical效能特性 TBD 图示 2. 错误作一个 % 读在温度在-碎片涉及 (pf=1) TBD 图示 3. 错误作一个 % 的读在温度和在-碎片涉及 (pf=0.5) TBD 图示 4. 错误作一个 % 的读在温度和外部涉及 (pf=1) TBD 图示 5. 错误作一个 % 的读在温度和外部涉及 (pf=0.5) TBD 图示 6. 错误作一个 %of 读在输入频率 5 k Ω VDD V2N 150nF 200 220V 150nF V2P 200 602k V1P V1N 150nF 200 150nF 200 500 µΩ 40a 至 40mA REF 在/输出 100nF 1 µ F 100nF 10 f µ V DD agnd dgnd F1 F2 CF 保留 RCLKIN S0 S1 SCF 10nF 10nF 10nF U3 ps2501-1 K7 K8 U1 ADE7757 10k V DD Ω Ω Ω Ω Ω Ω 图示 7. 测试电路为效能曲线

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