rev. 0
ADF4106
–4–
绝对 最大 比率
1, 2
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
AV
DD
至 地
3
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–
0.3 v 至 +3.6 v
AV
DD
至 dv
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–
0.3 v 至 +0.3 v
V
P
至 地 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–
0.3 v 至 +5.3 v
V
P
至 av
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–
0.3 v 至 +5.5 v
数字的 i/o 电压 至 地 . . . . . . . .
–
0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
相似物 i/o 电压 至 地 . . . . . . . . .
–
0.3 v 至 v
P
+ 0.3 v
REF
在
, rf
在
一个, rf
在
b 至 地 . . . . . .
–
0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
运行 温度 范围
工业的 (b 版本) . . . . . . . . . . . . . . .
–
40
°
c 至 +85
°
C
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . .
–
65
°
c 至 +150
°
C
最大 接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . 150
°
C
TSSOP
JA
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . 150.4
°
c/w
CSP
JA
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
°
c/w
含铅的 温度, 焊接
vapor 阶段 (60 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215
°
C
infrared (15 秒). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
°
C
注释
1
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 列表 在 这 运算的
sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
2
这个 设备 是 一个 高-效能 rf 整体的 电路 和 一个 静电释放 比率 的
<2 kv 和 它 是 静电释放 敏感的. 恰当的 预防措施 应当 是 带去 为 处理 和
组装.
3
地 = agnd = dgnd = 0 V
订货 手册
模型 温度 范围 包装 选项
*
ADF4106BRU
–
40
°
c 至 +85
°
C ru-16
ADF4106BCP
–
40
°
c 至 +85
°
C cp-20
*
ru = 薄的 shrink 小 外形 包装 (tssop)
cp = 碎片 规模 包装
联系 这 工厂 为 碎片 有效性.
便条 那 铝 bond 线 应当 不 是 使用 和 这 adf4106 消逝.
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现. 虽然 这
adf4106 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将 出现 在 设备
subjected 至 高-活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放 预防措施 是 推荐
至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
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