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资料编号:123421
 
资料名称:ADF4360-3BCP
 
文件大小: 336.77K
   
说明
 
介绍:
Integrated Synthesizer and VCO
 
 


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adf4360-3
rev. 0 | 页 3 的 24
规格
1
表格 1. av
DD
= dv
DD
= v
VCO
= 3.3 v ± 10%; agnd = dgnd = 0 v; t
一个
= t
最小值
至 t
最大值
, 除非 否则 指出.
参数 b 版本 单位 情况/comments
REF
特性
REF
输入 频率 10/250 mhz 最小值/最大值
为 f < 10 mhz, 使用 一个 直流-结合 cmos 兼容
正方形的 波, 回转 比率 > 21 v/µs.
REF
输入 敏锐的 0.7/av
DD
p-p 最小值/最大值 交流-结合.
0 至 av
DD
v 最大值 cmos 兼容.
REF
输入 电容 5.0 pf 最大值
REF
输入 电流 ±100
µa 最大值
阶段 探测器
阶段 探测器 频率
2
8 mhz 最大值
承担 打气
I
CP
下沉/源
3
和 r
设置
= 4.7 kΩ.
高 值 2.5 毫安 典型值
低 值 0.312 毫安 典型值
R
设置
范围 2.7/10 kΩ
I
CP
3-状态 泄漏 电流 0.2 na 典型值
下沉 和 源 电流 相一致 2 % 典型值 1.25 v ≤ v
CP
≤ 2.5 v.
I
CP
vs. v
CP
1.5 % 典型值 1.25 v ≤ v
CP
≤ 2.5 v.
I
CP
vs. 温度 2 % 典型值 V
CP
= 2.0 v.
逻辑 输入
V
INH
, 输入 高 电压 1.5 v 最小值
V
INL
, 输入 低 电压 0.6 v 最大值
I
INH
/i
INL
, 输入 电流 ±1
µa 最大值
C
, 输入 电容 3.0 pf 最大值
逻辑 输出
V
OH
, 输出 高 电压 DV
DD
– 0.4 v 最小值 cmos 输出 选择.
I
OH
, 输出 高 电流 500 µa 最大值
V
OL
, 输出 低 电压 0.4 v 最大值 I
OL
= 500 µa.
电源 供应
AV
DD
3.0/3.6 v 最小值/v 最大值
DV
DD
AV
DD
V
VCO
AV
DD
AI
DD
4
10 毫安 典型值
DI
DD
4
2.5 毫安 典型值
I
VCO
4,5
24.0 毫安 典型值 I
核心
= 15 毫安.
I
RFOUT
4
3.5–11.0 毫安 典型值 rf 输出 平台 是 可编程序的.
低 电源 睡眠 模式
4
7 µa 典型值
rf 输出 特性
5
vco 输出 频率 1600/1950 mhz 最小值/最大值 I
核心
= 15 毫安.
vco 敏锐的 45 mhz/v 典型值
锁 时间
6
400 µs 典型值 至 在里面 10 hz 的 最终 频率.
频率 pushing, (打开 循环) 6 mhz/v 典型值
频率 拉, (打开 循环) 15 khz 典型值 在 2.00 vswr 加载.
调和的 内容 (第二) −19 dbc 典型值
调和的 内容 (第三) −37 dbc 典型值
输出 电源
5,7
−12/−3 dbm 典型值 可编程序的 在 3 db 步伐. 看 表格 7
输出 电源 变化 ±3 db 典型值 tuned 负载, 看 输出 相一致 部分.
vco tuning 范围 1.25/2.5 v 最小值/最大值
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