ADF4153
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规格
1
AV
DD
= dv
DD
= sdv
DD
= 2.7 v 至 3.3 v; v
P
= av
DD
至 5.5 v; agnd = dgnd = 0 v; t
一个
= t
最小值
至 t
最大值
, 除非 otherwise noted; dbm
涉及 至 50 Ω.
表格 1.
参数 b 版本 单位 测试 情况/comments
rf 特性 (3 v)
看 图示 17 为 输入 电路.
rf 输入 频率 (rf
在
)
2
0.5/4.0 ghz 最小值/最大值
−8 dbm/0 dbm 最小值/最大值. 为 更小的 发生率,
确保 回转 比率 (sr) > 396 v/µs.
1.0/4.0 ghz 最小值/最大值 −10 dbm/0 dbm 最小值/最大值.
涉及 特性 See 图示 16 为 输入 电路.
REF
在
输入 频率
2
10/250 mhz 最小值/最大值
为 f < 10 mhz, 使用 一个 直流-结合 cmos 兼容
正方形的 波, 回转 比率 > 21 v/µs.
REF
在
输入 敏锐的 0.7/av
DD
v p-p 最小值/最大值 交流-结合.
0 至 av
DD
v 最大值 cmos 兼容.
REF
在
输入 电容 10 pf 最大值
REF
在
输入 电流 ±100 µa 最大值
阶段 探测器
阶段 探测器 频率
3
32 mhz 最大值
承担 打气
I
CP
下沉/源 可编程序的. 看 表格 5.
高 值 5 毫安 典型值 和 r
设置
= 5.1 kΩ.
低 值 312.5 µa 典型值
绝对 精度 2.5 % 典型值 和 r
设置
= 5.1 kΩ.
R
设置
范围 1.5/10 kΩ 最小值/最大值
I
CP
三-状态 泄漏 电流 1 na 典型值 下沉 和 源 电流.
相一致 2 % 典型值 0.5 v < v
CP
< v
P
– 0.5.
I
CP
vs. v
CP
2 % 典型值 0.5 v < v
CP
< v
P
– 0.5.
I
CP
vs. 温度 2 % 典型值 V
CP
= v
P
/2.
逻辑 输入
V
INH
, 输入 高 电压 1.4 v 最小值
V
INL
, 输入 低 电压 0.6 v 最大值
I
INH
/i
INL
, 输入 电流 ±1 µa 最大值
C
在
, 输入 电容 10 pf 最大值
逻辑 输出
V
OH
, 输出 高 电压 1.4 v 最小值 打开-流 1 kΩ 拉-向上 至 1.8 v.
V
OL
, 输出 低 电压 0.4 v 最大值 I
OL
= 500 µa.
电源 供应
AV
DD
2.7/3.3 v 最小值/v 最大值
DV
DD
, sdv
DD
AV
DD
V
P
AV
DD
/5.5 v 最小值/v 最大值
I
DD
4
24 毫安 最大值 20 毫安 典型.
低 电源 睡眠 模式 1 µa 典型值
噪音 特性
阶段 噪音 图示 的 merit
5
−217 dbc/hz 典型值
adf4153 阶段 噪音 floor
6
−147 dbc/hz 典型值 @ 10 mhz pfd 频率.
−143 dbc/hz 典型值 @ 26 mhz pfd 频率.
阶段 噪音 效能
7
@ vco 输出.
1750 mhz 输出
8
−106 dbc/hz 典型值 @ 1 khz 补偿, 26 mhz pfd 频率.
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