rev. c –3–
adg428/adg429
单独的 供应
1
b 版本 t 版本
–40
c 至 –55
c 至
参数 +25
C +85
C +25
C +125
C 单位 测试 情况/comments
相似物 转变
相似物 信号 范围 0 至 v
DD
0 至 v
DD
V
R
在
90 90
Ω
典型值 V
D
= +10 v, i
S
= –500
µ
一个
200 200
Ω
最大值
∆
R
在
10 10 % 最大值 0 v < v
S
< 10 v, i
S
= –1 毫安
泄漏 电流
源 止 泄漏 i
S
(止)
±
0.005
±
0.005 na 典型值 V
D
= 10 v/0 v, v
S
= 0 v/10 v;
±
0.5
±
50
±
0.5
±
50 na 最大值 测试 电路 2
流 止 泄漏 i
D
(止) V
D
= 10 v/0 v, v
S
= 0 v/10 v;
ADG428
±
0.015
±
0.015 na 典型值 测试 电路 3
±
1
±
100
±
1
±
100 na 最大值
ADG429
±
0.008
±
0.008 na 典型值
±
1
±
50
±
1
±
50 na 最大值
频道 在 泄漏 i
D
, i
S
(在) V
S
= v
D
= 10 v/0 v;
ADG428
±
0.02
±
0.02 na 典型值 测试 电路 4
±
1
±
100
±
1
±
100 na 最大值
ADG429
±
0.01
±
0.01 na 最大值
±
1
±
50
±
1
±
50 na 最大值
数字的 输入
输入 高 电压, v
INH
2.4 2.4 v 最小值
输入 低 电压, v
INL
0.8 0.8 v 最大值
输入 电流
I
INL
或者 i
INH
±
1
±
1
µ
一个 最大值 V
在
= 0 或者 v
DD
C
在
, 数字的 输入 电容 8 8 pf 典型值 f = 1 mhz
动态 特性
2
t
转变
250 250 ns 典型值 R
L
= 1 m
Ω
, c
L
= 35 pf;
350 450 350 450 ns 最大值 V
S1
= 10 v/0 v, v
S8
= 0 v/10 v;
测试 电路 5
t
打开
25 10 25 10 ns 最小值 R
L
= 1 k
Ω
, c
L
= 35 pf;
V
S
= +5 v; 测试 电路 6
t
在
(en,
WR
) 200 200 ns 典型值 R
L
= 1 k
Ω
, c
L
= 35 pf;
300 400 300 400 ns 最大值 V
S
= +5 v; 测试 电路 7
t
止
(en,
RS
) 80 80 ns 典型值 R
L
= 1 k
Ω
, c
L
= 35 pf;
300 400 300 400 ns 最大值 V
S
= +5 v; 测试 电路 7
t
W
, 写 pulsewidth 100 100 ns 最小值
t
S
, 地址, 使能 建制 时间 100 100 ns 最小值
t
H
, 地址, 使能 支撑 时间 10 10 ns 最小值
t
RS
, 重置 pulsewidth 100 100 ns 最小值 V
S
= +5 v
承担 injection 4 4 pc 典型值 V
S
= 6 v, r
S
= 0
Ω
, c
L
= 10 nf;
测试 电路 10
止 分开 –75 –75 db 典型值 R
L
= 1 k
Ω
, c
L
= 15 pf, f = 100 khz;
–60 –60 db 最小值 V
S
= 7 v rms, v
EN
= 0 v; 测试 电路 11
频道-至-频道 串扰 85 85 db 典型值 R
L
= 1 k
Ω
, c
L
= 15 pf, f = 100 khz;
测试 电路 12
C
S
(止) 11 11 pf 典型值 f = 1 mhz
C
D
(止) f = 1 mhz
ADG428 40 40 pf 典型值
ADG429 20 20 pf 典型值
C
D
, c
S
(在) f = 1 mhz
ADG428 54 54 pf 典型值
ADG429 34 34 pf 典型值
电源 (所需的)东西 V
在
= 0 v, v
EN
= 0 v
I
DD
20 20
µ
一个 典型值
100 100
µ
一个 最大值
注释
1
温度 范围 是 作 跟随: b 版本: –40
°
c 至 +85
°
c; t 版本: –55
°
c 至 +125
°
c.
2
有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
(v
DD
= +12 v, v
SS
= 0 v, 地 = 0 v,
WR
= 0 v,
RS
= 2.4 v 除非 否则 指出)
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