adg508f/adg509f/adg528f
rev. c
–7–
theory 的 运作
这 adg508f/adg509f/adg528f multiplexers 是 有能力
的 承受 overvoltages 从 –40 v 至 +55 v,irrespective
的 whether这 电源 供应 是 呈现 或者 不. 各自 频道
的 这 多路调制器 组成 的 一个 n-频道 场效应晶体管, 一个 p-
频道 场效应晶体管 和 一个 n-频道 场效应晶体管, 连接 在
序列. 当 这 相似物 输入 超过 这 电源 供应, 一个
的 这 mosfets 将 转变 止, 限制的 这 电流 至 sub-
microamp 水平, 因此 阻止 这 超（电）压 从 dam-
变旧 任何 circuitry 下列的 这 多路调制器. 图示 12 illustrates
这 频道 一个rchitecture 那 使能 这些 multiplexers 至 和-
保卫 持续的 overvoltages.
当 一个 相似物 输入 的 v
SS
+ 3 v 至 v
DD
– 1.5 v 是 应用 至
这 adg508f/adg509f/adg528f, 这 多路调制器 behaves
作 一个 标准 多路调制器, 和 规格 类似的 至 一个 stan-
dard 多路调制器, 为 例子, 这 在-阻抗 是 400
Ω
maxi-
mum. 不管怎样, 当 一个 超（电）压 是 应用 至 这 设备,
一个 的 这 三 mosfets 将 转变 止.
计算数量 12 至 15 显示 这 情况 的 这 三 mosfets 为
这 各种各样的 超（电）压 situations. 当 这 相似物 输入 ap-
plied 至 一个 在 频道 approaches 这 积极的 电源 供应
线条, 这 n-频道 场效应晶体管 转变 止 自从 这 电压 在
这 相似物 输入 超过 这 区别 在 v
DD
和 这
Q1 Q2 Q3
+55V
超（电）压
n-频道
场效应晶体管 是
止
V
DD
V
SS
图示 12. +55 v 超（电）压 输入 至 这 在 频道
Q1 Q2 Q3
–40V
超（电）压
n-频道
场效应晶体管 是
在
V
DD
V
SS
p-频道
场效应晶体管 是
止
图示 13. –40 v 超（电）压 在 一个 止 频道 和
多路调制器 电源 在
n-频道 门槛 电压 (v
TN
). 当 一个 电压 更多 nega-
tive 比 v
SS
是 应用 至 这 多路调制器, 这 p-频道
场效应晶体管 将 转变 止 自从 这 相似物 输入 是 更多 负的
比 这 区别 在 v
SS
和 这 p-频道 门槛
电压 (v
TP
). 自从 v
TN
是 nominally 1.5 v 和 v
TP
是 典型地
3 v, 这 相似物 输入 范围 至 这 多路调制器 是 限制 至
–12 v 至 +13.5 v 当 一个
±
15 v 电源 供应 是 使用.
当 这 电源 供应 是 呈现 但是 这 频道 是 止,
又一次 也 这 p-频道 场效应晶体管 或者 一个 的 这 n-频道
mosfets 将 转变 止 当 一个 超（电）压 occurs.
最终, 当这 电源 供应 是 止, 这 门 的 各自
场效应晶体管 将 是 在 地面. 一个 负的 超（电）压 switches
在 这 第一 n-频道 场效应晶体管 但是 这 偏差 生产 用 这
超（电）压 导致 这 p-频道 场效应晶体管 至 仍然是 转变
止. 和 一个 积极的 超（电）压, 这 第一 场效应晶体管 在 这
序列 将 仍然是 止 自从 这 门 至 源 电压 应用 至
这个 场效应晶体管 是 负的.
在 故障 情况, 这 泄漏 电流 在 和 输出 的 这
adg508f/adg509f/adg528f 是 限制 至 一个 few microamps.
这个 保护 这 多路调制器 和 succeeding 电路系统 从 在
压力 作 好 作 protecting 这 信号 来源 这个 驱动 这
多路调制器. 也, 这 其它 途径 的 这 多路调制器 将 是
undisturbed 用 这 超（电）压 和 将 continue 至 运作
正常情况下.
Q1 Q2 Q3
+55V
超（电）压
n-频道
场效应晶体管 是
止
图示 14. +55 v 超（电）压 和 电源 止
Q1 Q2 Q3
–40V
超（电）压
n-频道
场效应晶体管 是
在
p-频道
场效应晶体管 是
止
图示 15. –40 v 超（电）压 和 电源 止
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