adg438f/adg439f
–6– rev. d
n-频道 门槛 电压 (v
TN
). 当 一个 电压 更多 nega-
tive 比 v
SS
是 应用 至 这 多路调制器, 这 p-频道
场效应晶体管 将 转变 止 自从 这 相似物 输入 是 更多 负的
比 这 区别 在 v
SS
和 这 p-频道 门槛
电压 (v
TP
).
当 这 电源 供应 是 呈现 但是 这 频道 是 止,
又一次 也 这 p-频道 场效应晶体管 或者 一个 的 这 n-频道
mosfets 将 仍然是 止 当 一个 超（电）压 occurs.
最终, 当 这 电源 供应 are 止, 这 门 的 各自
场效应晶体管 将 是 在 地面. 一个 负的 超（电）压 switches 在
这 第一 n-频道 场效应晶体管 但是 这 偏差 生产 用 这
超（电）压 导致 这 p-频道 场效应晶体管 至 仍然是 转变
止. 和 一个 积极的 超（电）压, 这 第一 场效应晶体管 在 这 序列
将 仍然是 止 自从 这 门 至 源 电压 应用 至 这个
场效应晶体管 是 负的.
在 故障 情况, 这 泄漏 电流 在 和 输出 的 这
adg438f/adg439f 是 限制 至 一个 few microamps. 这个 pro-
tects 这 多路调制器 和 succeeding 电路系统 从 在 压力
作 好 作 protecting 这 信号 来源 这个 驱动 这 multi-
plexer. 也, 这 其它 途径 的 这 多路调制器 将 是
undisturbed 用 这 超（电）压 和 将 continue 至 运作
正常情况下.
Q1 Q2 Q3
+55V
超（电）压
n-频道
场效应晶体管 是
止
图示 12. +55 v 超（电）压 和 电源 止
Q1 Q2 Q3
–40V
超（电）压
n-频道
场效应晶体管 是
在
p-频道
场效应晶体管 是
止
图示 13. –40 v 超（电）压 和 电源 止
theory 的 运作
这 adg438f/adg439f multiplexers 是 有能力 的 和-
standing overvoltages 从 –40 v 至 +55 v, irrespective 的
whether这 电源 供应 是 呈现 或者 不. 各自 频道 的
这 多路调制器 组成 的 一个 n-频道 场效应晶体管, 一个 p-频道
场效应晶体管 和 一个 n-频道 场效应晶体管, 连接 在 序列.
当 这 相似物 输入 超过 这 电源 供应, 一个 的 这
mosfets 将 转变 止, 限制的 这 电流 至 sub-microamp
水平, 因此 阻止 这 超（电）压 从 损害的 任何
电路系统 下列的 这 多路调制器. 图示 12 illustrates 这
频道 architecture 那 使能 这些 multiplexers 至 和-
保卫 持续的 overvoltages.
当 一个 相似物 输入 的 v
SS
+ 1.2 v 至 v
DD
– 0.8 v 是 应用
至 这 adg438f/adg439f, 这 多路调制器 behaves 作 一个
标准 多路调制器, 和 规格 类似的 至 一个 标准
多路调制器, 为例子, 这 在-阻抗 是 180
Ω
典型地.
不管怎样, 当 一个 超（电）压 是 应用 至 这 设备, 一个 的
这 三 mosfets 将 转变 止.
计算数量 10 至 13 显示 这 情况 的 这 三 mosfets 为
这 各种各样的 超（电）压 situations. 当 这 相似物 输入 ap-
plied 至 一个 在 频道 approaches 这 积极的 电源 供应
线条, 这 n-频道 场效应晶体管 转变 止 自从 这 电压 在
这 相似物 输入 超过 这 区别 在 v
DD
和 这
Q1 Q2 Q3
+55V
超（电）压
n-频道
场效应晶体管 是
止
V
DD
V
SS
图示 10. +55 v 超（电）压 输入 至 这 在 频道
Q1 Q2 Q3
–40V
超（电）压
n-频道
场效应晶体管 是
在
V
DD
V
SS
p-频道
场效应晶体管 是
止
图示 11. –40 v 超（电）压 在 一个 止 频道 和
多路调制器 电源 在
测试 电路
I
DS
S
R
在
= v
1
/i
DS
V1
V
S
D
测试 电路 1. 在 阻抗
V
D
S1
S2
S8
V
S
V
SS
V
DD
I
D
(止)
V
SS
V
DD
+0.8v
D
EN
一个
测试 电路 3. I
D
(止)
V
S
I
S
(止)
V
D
S1
S2
S8
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
+0.8v
D
EN
一个
测试 电路 2. I
S
(止)
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