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资料编号:123651
资料名称:
ADG408BR
文件大小: 223.56K
说明
:
介绍
:
LC2MOS 4-/8-Channel High Performance Analog Multiplexers
: 点此下载
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3
4
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6
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8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
adg408/adg409
rev. 一个
–6–
典型 效能 特性
V
D
(v
S
) – 伏特
120
20
–15
15–10
R
在
–
–5
0
5
10
80
40
100
60
V
DD
= +10v
V
SS
= –10v
V
DD
= +5v
V
SS
= –5v
V
DD
= +12v
V
SS
= –12v
V
DD
= +15v
V
SS
= –15v
T
一个
= +25
C
图示 1.
R
在
作 一个 函数 的 v
D
(v
S
): 双 供应 电压
V
D
(v
S
) – 伏特
100
30
–15
15–10
R
在
–
–5
0
5
10
80
70
50
40
60
90
+125
C
+85
C
+25
C
V
DD
= +15v
V
SS
= –15v
图示 2.
R
在
作 一个 函数 的 v
D
(v
S
) 为 不同的
温度
V
D
(v
S
) – 伏特
0.2
–0.2
泄漏 电流 – na
0
–0.1
0.1
–15
15–10
–5
0
5
10
T
一个
= +25
C
V
DD
= +15v
V
SS
= –15v
I
S
(止)
I
D
(在)
I
D
(止)
图示 3.
泄漏 电流 作 一个 函数 的 v
D
(v
S
)
V
D
(v
S
) – 伏特
180
40
0153
R
在
–
6912
140
120
80
60
160
100
T
一个
= +25
C
V
DD
= +5v
V
SS
= 0v
V
DD
= +12v
V
SS
= 0v
V
DD
= +15v
V
SS
= 0v
V
DD
= +10v
V
SS
= 0v
图示 4.
R
在
作 一个 函数 的 v
D
(v
S
): 单独的 供应
电压
V
D
(v
S
) – 伏特
130
60
0122
R
在
–
46810
100
80
70
90
120
V
DD
= +12v
V
SS
= 0v
+125
C
+85
C
+25
C
110
图示 5.
R
在
作 一个 函数 的 v
D
(v
S
) 为 不同的
温度
V
D
(v
S
) – 伏特
0.04
–0.06
0122
泄漏 电流 – na
46810
0
–0.04
0.02
–0.02
T
一个
= +25
C
V
DD
= +12v
V
SS
= 0v
I
S
(止)
I
D
(在)
I
D
(止)
图示 6.
泄漏 电流 作 一个 函数 的 v
D
(v
S
)
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