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资料编号:123706
 
资料名称:ADG431ABR
 
文件大小: 119.58K
   
说明
 
介绍:
LC2MOS Precision Quad SPST Switches
 
 


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真实 表格 (adg431/adg432)
adg431 在 adg432 在 转变 情况
01ON
1 0
真实 表格 (adg433)
逻辑 转变 1, 4 转变 2, 3
0
1
单独的 供应
b 版本 t 版本
–40
c 至 –55
c 至
参数 +25
C +85
C +25
C +125
C 单位 测试 情况/comments
相似物 转变
相似物 信号 范围 0 v 至 v
DD
0 v 至 v
DD
V
R
28 28
典型值 0 < v
D
< 8.5 v, i
S
= –10 毫安;
42 45 42 45
最大值 V
DD
= +10.8 v
R
vs. v
D
(v
S
) 20 20 % 典型值
R
逐渐变化 0.5 0.5 %/
°
c 典型值
R
相一致 5 5 % 典型值 V
D
= 0 v, i
S
= –10 毫安
泄漏 电流 V
DD
= +13.2 v
源 止 泄漏 i
S
(止)
±
0.04
±
0.04 na 典型值 V
D
= 12.2/1 v, v
S
= 1/12.2 v;
±
0.25
±
2
±
0.25
±
15 na 最大值 测试 电路 2
流 止 泄漏 i
D
(止)
±
0.04
±
0.04 na 典型值 V
D
= 12.2/1 v, v
S
= 1/12.2 v;
±
0.25
±
2
±
0.25
±
15 na 最大值 测试 电路 2
频道 在 泄漏 i
D
, 是 (在)
±
0.01
±
0.01 na 典型值 V
D
= v
S
= +12.2 v/+1 v;
±
0.3
±
3
±
0.3
±
17 na 最大值 测试 电路 3
数字的 输入
输入 高 电压, v
INH
2.4 2.4 v 最小值
输入 低 电压, v
INL
0.8 0.8 v 最大值
输入 电流
I
INL
或者 i
INH
0.005 0.005
µ
一个 典型值 V
= v
INL
或者 v
INH
±
0.01
±
0.01
µ
一个 最大值
C
数字的 输入 电容 9 9 pf 典型值
动态 特性
2
V
DD
= +12 v, v
SS
= 0 v
t
165 165 ns 典型值 R
L
= 300
,
C
L
= 35 pf;
240 240 ns 最大值 V
S
= +8 v; 测试 电路 4
t
60 60 ns 典型值 R
L
= 300
, c
L
= 35 pf;
115 115 ns 最大值 V
S
= +8 v; 测试 电路 4
破裂-在之前-制造 时间 延迟, t
D
25 25 ns 典型值 R
L
= 300
, c
L
= 35 pf;
(adg433 仅有的) V
S1
= v
S2
= +10 v;
测试 电路 5
承担 injection 25 25 pc 典型值 V
S
= 0 v, r
S
= 0
, c
L
= 10 nf;
测试 电路 6
止 分开 68 68 db 典型值 R
L
= 50
, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz;
测试 电路 7
频道-至-频道 串扰 85 85 db 典型值 R
L
= 50
, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz;
测试 电路 8
C
S
(止) 9 9 pf 典型值 f = 1 mhz
C
D
(止) 9 9 pf 典型值 f = 1 mhz
C
D
, c
S
(在) 35 35 pf 典型值 f = 1 mhz
电源 (所需的)东西 V
DD
= +13.2 v
数字的 输入 = 0 v 或者 5 v
I
DD
0.0001 0.0001
µ
一个 典型值
0.03 0.1 0.03 0.1
µ
一个 最大值
I
L
0.0001 0.0001
µ
一个 典型值
0.03 0.1 0.03 0.1
µ
一个 最大值 V
L
= +5.25 v
电源 消耗 1.9 1.9
µ
w 最大值
注释
1
温度 范围 是 作 跟随: b 版本: –40
°
c 至 +85
°
c; t 版本: –55
°
c 至 +125
°
c.
2
有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
(v
DD
= +12 v
10%, v
SS
= o v, v
L
= +5 v
10%, 地 = o v, 除非 否则 指出)
adg431/adg432/adg433
rev. b
–3–
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