adg431/adg432/adg433
rev. b–4–
绝对 最大 比率
(t
一个
= +25
°
c 除非 否则 指出)
V
DD
至 v
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+44 v
V
DD
至 地 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +25 v
V
SS
至 地 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +0.3 v 至 –25 v
V
L
至 地 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
相似物, 数字的 输入
2
. . . . . . . . . . V
SS
– 2 v 至 v
DD
+ 2 v 或者
30 毫安, whichever occurs 第一
持续的 电流, s 或者 d . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 毫安
顶峰 电流, s 或者 d . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 毫安
(搏动 在 1 ms, 10% 职责 循环 最大值)
运行 温度 范围
工业的 (b 版本) . . . . . . . . . . . . . . . . . –40
°
c 至 +85
°
C
扩展 (t 版本) . . . . . . . . . . . . . . . . –55
°
c 至 +125
°
C
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150
°
C
cerdip 包装, 电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . 900 mw
θ
JA
, 热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
°
c/w
含铅的 温度, 焊接 (10 秒) . . . . . . . . . . . +300
°
C
塑料 包装, 电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . 470 mw
θ
JA
, 热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
°
c/w
含铅的 温度, 焊接 (10 秒) . . . . . . . . . . . +260
°
C
soic 包装, 电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . . 600 mw
θ
JA
, 热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
°
c/w
含铅的 温度, 焊接
vapor 阶段 (60 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +215
°
C
infrared (15 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +220
°
C
注释
1
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 列表 在 这 运算的
sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性. 仅有的 一个 绝对
最大 比率 将 是 应用 在 任何 一个 时间.
2
overvoltages 在 在, s 或者 d 将 是 clamped 用 内部的 二极管. 电流 应当 是
限制 至 这 最大 比率 给.
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现.
虽然这 adg431/adg432/adg433 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, perma-
nent 损坏 将 出现 在 devices subjected 至 高 活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的
静电释放 预防措施 是 推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 functionality.
管脚 配置
(插件/soic)
顶 视图
(不 至 规模)
16
15
14
13
12
11
10
9
1
2
3
4
5
6
7
8
IN1
D1
S1
V
SS
地
S4
D4
IN4
IN2
D2
S2
V
DD
V
L
S3
D3
IN3
ADG431
ADG432
ADG433
订货 手册
模型
1
温度 范围 包装 选项
2
ADG431BN –40
°
c 至 +85
°
C n-16
ADG431BR –40
°
c 至 +85
°
C r-16a
ADG431TQ –55
°
c 至 +125
°
C q-16
ADG431ABR –40
°
c 至 +85
°
C r-16a
3
ADG432BN –40
°
c 至 +85
°
C n-16
ADG432BR –40
°
c 至 +85
°
C r-16a
ADG432TQ –55
°
c 至 +125
°
C q-16
ADG432ABR –40
°
c 至 +85
°
C r-16a
3
ADG433BN –40
°
c 至 +85
°
C n-16
ADG433BR –40
°
c 至 +85
°
C r-16a
ADG433ABR –40
°
c 至 +85
°
C r-16a
3
注释
1
至 顺序 mil-标准-883, 类 b processed 部分, 增加 /883b 至 t 等级 部分 号码.
2
n = 塑料 插件; r = 0.15" 小 外形 ic (soic); q = cerdip.
3
trench 分开的, 获得-向上 proof 部分. 看 trench 分开 部分.
TERMINOLOGY
V
DD
大多数 积极的 电源 供应 潜在的.
V
SS
大多数 负的 电源 供应 潜在的 在 双
供应. 在 单独的 供应 产品, 它 将 是
连接 至 地.
V
L
逻辑 电源 供应 (+5 v).
地 地面 (0 v) 涉及.
S 源 终端. 将 是 一个 输入 或者 输出.
D 流 终端. 将 是 一个 输入 或者 输出.
在 逻辑 控制 输入.
R
在
ohmic 阻抗 在 d 和 s.
R
在
vs. v
D
(v
S
) 这 变化 在 r
在
预定的 至 一个 改变 在 这 ana-
log 输入 电压 和 一个 常量 加载 current.
R
在
逐渐变化 改变 在 r
在
vs. 温度.
R
在
相一致 区别 在 这 r
在
的 任何 二 switches.
I
S
(止) 源 泄漏 电流 和 这 转变 “off.”
I
D
(止) 流 泄漏 电流 和 这 转变 “off.”
I
D
, i
S
(在) 频道 泄漏 电流 和 这 转变 “on.”
V
D
(v
S
) 相似物 电压 在 terminals d, s.
C
S
(止) “off” 转变 源 电容.
C
D
(止) “off” 转变 流 电容.
C
D
, c
S
(在) “on” 转变 电容.
C
在
输入 电容 至 地面 的 一个 数字的 输入.
t
在
延迟 在 应用 这 数字的 控制 输入
和 这 输出 切换 在.
t
止
延迟 在 应用 这 数字的 控制 输入
和 这 输出 切换 止.
t
D
“off” 时间 或者 “on” 时间 量过的 在 这
90% 点 的 两个都 switches, 当 切换
从 一个 地址 状态 至 另一.
串扰 一个 measure 的 unwanted 信号 这个 是 结合
通过 从 一个 频道 至 另一 作 一个 结果
的 parasitic 电容.
止 分开 一个measure 的 unwanted 信号 连接 通过一个
“off” 转变.
承担 一个measure 的 这 glitch impulse transferred 从这
Injection 数字的 input 至 这 相似物 输出 在 切换.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
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