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资料编号:123729
 
资料名称:ADG512BR
 
文件大小: 124.24K
   
说明
 
介绍:
LC2MOS Precision 5 V/3 V Quad SPST Switches
 
 


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单独的 供应
b 版本 t 版本
–40
c 至 –55
c 至
参数 +25
C+85
C+25
C +125
C 单位 测试 情况/comments
相似物 转变
相似物 信号 范围 0 v 至 v
DD
0 v 至 v
DD
V
R
45 45
典型值 V
D
= +3.5 v, i
S
= –10 毫安;
75 75
最大值 V
DD
= +4.5 v
泄漏 电流 V
DD
= +5.5 v
源 止 泄漏 i
S
(止)
±
0.025
±
0.025 na 典型值 V
D
= 4.5/1 v, v
S
= 1
4.5 v;
±
0.1
±
2.5
±
0.1
±
2.5 na 最大值 测试 电路 2
流 止 泄漏 i
D
(止)
±
0.025
±
0.025 na 典型值 V
D
= 4.5/1 v, v
S
= 1
4.5 v;
±
0.1
±
2.5
±
0.1
±
2.5 na 最大值 测试 电路 2
频道 在 泄漏 i
D
, i
S
(在)
±
0.05
±
0.05 na 典型值 V
D
= v
S
= +4.5 v/+1 v;
±
0.2
±
5
±
0.2
±
5 na 最大值 测试 电路 3
数字的 输入
输入 高 电压, v
INH
2.4 2.4 v 最小值
输入 低 电压, v
INL
0.8 0.8 v 最大值
输入 电流
I
INL
或者 i
INH
0.005 0.005
µ
一个 典型值 V
= v
INL
或者 v
INH
±
0.1
±
0.1
µ
一个 最大值
动态 特性
2
t
250 250 ns 典型值 R
L
= 300
, c
L
= 35 pf;
500 500 ns 最大值 V
S
= +2 v; 测试 电路 4
t
50 50 ns 典型值 R
L
= 300
, c
L
= 35 pf;
100 100 ns 最大值 V
S
= +2 v; 测试 电路 4
破裂-在之前-制造 时间 200 200 ns 典型值 R
L
= 300
, c
L
= 35 pf;
延迟, t
D
(adg513 仅有的) V
S1
= v
S2
= +2 v; 测试 电路 5
承担 injection 16 16 pc 典型值 V
S
= 0 v, r
S
= 0
, c
L
= 10 nf;
测试 电路 6
止 分开 68 68 db 典型值 R
L
= 50
, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz;
测试 电路 7
频道-至-频道 串扰 85 85 db 典型值 R
L
= 50
, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz;
测试 电路 8
C
S
(止) 9 9 pf 典型值 f = 1 mhz
C
D
(止) 9 9 pf 典型值 f = 1 mhz
C
D
, c
S
(在) 35 35 pf 典型值 f = 1 mhz
电源 (所需的)东西
V
DD
+4.5/5.5 +4.5/5.5 v 最小值/最大值
I
DD
0.0001 0.0001
µ
一个 典型值 V
DD
= +5.5 v
11
µ
一个 最大值 数字的 输入 = 0 v 或者 5 v
注释
1
温度 范围 是 作 跟随: b 版本 –40
°
c 至 +85
°
c; t 版本 –55
°
c 至 +125
°
c.
2
有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
(v
DD
= +5 v
10%, v
SS
= 0 v, 地 = 0 v, 除非 否则 指出)
adg511/adg512/adg513
rev. b
–3–
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