b 版本 t 版本
–40
c 至 –55
c 至
参数 +25
C +85
C +25
C +125
C 单位 测试 情况/comments
相似物 转变
相似物 信号 范围 0 至 v
DD
0 至 v
DD
V
R
在
40 40
Ω
典型值 V
D
= +3 v, +8.5 v, i
S
= –10 毫安
60 70
Ω
最大值 V
DD
= +10.8 v
泄漏 电流 V
DD
= +13.2 v
源 止 泄漏 i
S
(止)
±
0.1
±
0.1 na 典型值 V
D
= 12.2 v/1 v, v
S
= 1 v/12.2 v;
±
0.25
±
5
±
0.25
±
15 na 最大值 测试 电路 2
流 止 泄漏 i
D
(止)
±
0.1
±
0.1 na 典型值 V
D
= 12.2 v/1 v, v
S
= 1 v/12.2 v;
±
0.75
±
5
±
0.75
±
30 na 最大值 测试 电路 2
频道 在 泄漏 i
D
, i
S
(在)
±
0.4
±
0.4 na 典型值 V
S
= v
D
= 12.2 v/1 v;
±
0.75
±
5
±
0.75
±
30 na 最大值 测试 电路 3
数字的 输入
输入 高 电压, v
INH
2.4 2.4 v 最小值
输入 低 电压, v
INL
0.8 0.8 v 最大值
输入 电流
I
INL
或者 i
INH
±
0.005
±
0.005
µ
一个 典型值 V
在
= v
INL
或者 v
INH
±
0.5
±
0.5
µ
一个 最大值
动态 特性
2
t
转变
180 250 170 250 ns 最大值 R
L
= 300
Ω
, c
L
= 35 pf;
V
S1
= 0 v/8 v, v
S2
= 8 v/0 v;
测试 电路 4
破裂-在之前-制造 时间 60 60 ns 典型值 R
L
= 300
Ω
, c
L
= 35 pf;
延迟, t
D
V
S1
= v
S2
= +8 v;
测试 电路 5
止 分开 80 80 db 典型值 R
L
= 50
Ω
, f = 1 mhz;
测试 电路 6
频道-至-频道 串扰 90 70 db 典型值 R
L
= 50
Ω
, f = 1 mhz;
测试 电路 7
C
S
(止) 13 13 pf 典型值 f = 1 mhz
C
D
, c
S
(在) 65 65 pf 典型值 f = 1 mhz
电源 (所需的)东西 V
DD
= +13.2 v
I
DD
0.0001 0.0001
µ
一个 典型值 V
在
= 0 v 或者 5 v
1 2.5 1 2.5
µ
一个 最大值
I
L
0.0001 0.0001
µ
一个 典型值 V
L
= +5.5 v
1 2.5 1 2.5
µ
一个 最大值
注释
1
温度 范围 是 作 跟随: b 版本: –40
°
c 至 +85
°
c; t 版本: –55
°
c 至 +125
°
c.
2
有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
单独的 供应
(v
DD
= +12 v
10%, v
SS
= 0 v, v
L
= +5 v
10%, 地 = 0 v, 除非 否则 指出)
ADG419
rev. 一个
–3–
表格 i. 真实 表格
逻辑 转变 1 转变 2
0 在 止
1 止 在
订货 手册
模型 温度 范围 包装 options*
ADG419BN –40
°
c 至 +85
°
C n-8
ADG419BR –40
°
c 至 +85
°
C 所以-8
ADG419BRM –40
°
c 至 +85
°
C rm-8
ADG419TQ –55
°
c 至 +125
°
C q-8
*n = 塑料 插件, q = cerdip, rm =
µ
soic, 所以 = 0.15" 小 外形 ic (soic).
管脚 配置
插件/soic/
SOIC
顶 视图
(不 至 规模)
8
7
6
5
1
2
3
4
D
S1
地
V
DD
S2
V
SS
在
V
L
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