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资料编号:123740
 
资料名称:ADG419BR
 
文件大小: 113.54K
   
说明
 
介绍:
LC2MOS Precision Mini-DIP Analog Switch
 
 


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rev. 一个
–4–
ADG419
绝对 最大 比率
1
(t
一个
= +25
°
c 除非 否则 指出)
V
DD
至 v
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+44 v
V
DD
至 地 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +25 v
V
SS
至 地 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +0.3 v 至 –25 v
V
L
至 地 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
相似物, 数字的 输入
2
. . . . . . . . . . . . V
SS
– 2 v 至 v
DD
+ 2 v
或者 30 毫安, whichever occurs 第一
持续的 电流, s 或者 d . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 毫安
顶峰 电流, s 或者 d . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 毫安
(搏动 在 1 ms, 10% 职责 循环 最大值)
运行 温度 范围
工业的 (b 版本) . . . . . . . . . . . . . . . . . –40
°
c 至 +85
°
C
扩展 (t 版本) . . . . . . . . . . . . . . . . –55
°
c 至 +125
°
C
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150
°
C
cerdip 包装, 电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . 600 mw
θ
JA
, 热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
°
c/w
含铅的 温度, 焊接 (10 秒) . . . . . . . . . . . +300
°
C
塑料 包装, 电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . 400 mw
θ
JA
, 热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
°
c/w
含铅的 温度, 焊接 (10 秒) . . . . . . . . . . . +260
°
C
soic 包装, 电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . . 400 mw
θ
JA
, 热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
°
c/w
µ
soic 包装, 电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . 315 mw
θ
JA
, 热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205
°
c/w
含铅的 温度, 焊接
vapor 阶段 (60 秒). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +215
°
C
infrared (15 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +220
°
C
注释
1
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 列表 在 这 运算的
sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性. 仅有的 一个 绝对
最大 比率 将 是 应用 在 任何 一个 时间.
2
overvoltages 在 在, s 或者 d 将 是 clamped 用 内部的 二极管. 电流 应当 是
限制 至 这 最大 比率 给.
C
D
, c
S
(在) “on” 转变 电容.
t
转变
延迟 时间 在 这 50% 和 90% 点
的 这 数字的 输入 和 这 转变 “on”
情况 当 切换 从 一个 地址
状态 至 另一.
t
D
“off” 时间 或者 “on” 时间 量过的 是-
tween 这 90% 点 的 两个都 switches
当 切换 从 一个 地址 状态
至 这 其它.
V
INL
最大 输入 电压 为 逻辑 “0.”
V
INH
最小 输入 电压 为 逻辑 “1.”
I
INL
(i
INH
) 输入 电流 的 这 数字的 输入.
串扰 一个 measure 的 unwanted 信号 这个 是
结合 通过 从 一个 频道 至
另一 作 一个 结果 的 parasitic 电容.
止 分开 一个 measure 的 unwanted 信号 连接
通过 一个 “off” 频道.
I
DD
积极的 供应 电流.
I
SS
负的 供应 电流.
TERMINOLOGY
V
DD
大多数 积极的 电源 供应 潜在的.
V
SS
大多数 负的 电源 供应 潜在的 在 双
供应. 在 单独的 供应 产品, 它
将 是 连接 至 地.
V
L
逻辑 电源 供应 (+5 v).
地面 (0 v) 涉及.
S 源 终端. 将 是 一个 输入 或者 一个
输出.
D 流 终端. 将 是 一个 输入 或者 一个
输出.
逻辑 控制 输入.
R
ohmic 阻抗 在 d 和 s.
I
S
(止) 源 泄漏 电流 和 这 转变
“off.”
I
D
(止) 流 泄漏 电流 和 这 转变
“off.”
I
D
, i
S
(在) 频道 泄漏 电流 和 这 转变
“on.”
V
D
(v
S
) 相似物 电压 在 terminals d, s.
C
S
(止) “off” 转变 源 电容.
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现.
虽然 这 adg419 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将
出现 在 设备 subjected 至 高 活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放
预防措施 是 推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
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