rev. 0
adm1051/adm1051a
–3–
绝对 最大 比率
*
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
V
CC
至 地 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 v
SHDN1
,
SHDN2
至 地 . . . . . . . . –0.3 v 至 (v
CC
+ 0.3 v)
sense 1, sense 2 至 地 . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +5.5 v
强迫 1, 强迫 2 . . . . . . . 短的-电路 至 地 或者 v
CC
持续的 电源 消耗 (t
一个
= 70
°
c) . . . . . . .650 mw
8-含铅的 soic (减额 8.3 mw/
°
c 在之上 70
°
c)
运行 温度 范围
商业的 (j 版本) . . . . . . . . . . . . . . . . . .0
°
c 至 70
°
C
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) . . . . . . . . . . . . 300
°
C
*
这个 是 一个 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它
情况 在之上 那些 表明 在 这 运作 sections 的 这个 规格 是
不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展
时期 的 时间 将 影响 可靠性.
热的 特性
8-含铅的 小 外形 包装:
θ
JA
= 150
°
c/w
订货 手册
温度 包装 包装
模型 范围 描述 选项
ADM1051JR 0
°
c 至 70
°
C 8-含铅的 soic r-8
ADM1051AJR 0
°
c 至 70
°
C 8-含铅的 soic r-8
管脚 函数 描述
管脚
非. Mnemonic 函数
1 强迫 2 输出 的 频道 2 控制 放大器
至 门 的 外部 n-channel 场效应晶体管.
2 sense 2 输入 从 源 的 外部 场效应晶体管
至 反相的 输入 的 频道 2 控制
放大器, 通过 输出 电压-设置
反馈 电阻 网络.
3
SHDN2
数字的 输入. 起作用的-低 关闭
控制 和 50
µ
一个 内部的 拉-向上. 这
输出 的 频道 2 控制 放大器变得
至 地面 当
SHDN2
是 带去 低.
4 地 设备 地面 管脚.
5
SHDN1
数字的 输入. 起作用的-低 关闭 con-
trol 和 50
µ
一个 内部的 拉-向上. 看 text 为
更多 详细信息 的
SHDN1
符合实际.
6 sense 1 输入 从 源 的 外部 场效应晶体管 至
反相的 输入 的 频道 1 控制 放大器-
fier, 通过 输出 电压-设置 反馈
电阻 网络.
7 强迫 1 输出 的 频道 1 控制 放大器 至
门 的 外部 n-频道 场效应晶体管.
8V
CC
12 v 供应.
SHDN1
V
CC
adm1051/
ADM1051A
SHDN2
1
F
leave 打开 或者
连接 至
逻辑 信号
如果 关闭
必需的
PHD55N03LT
强迫 2
sense 2
100
F
2
100
F
V
OUT1
强迫 1
sense 1
V
在
3.3v
12V
MTD3055VL
100
F
2
100
F
V
OUT2
V
在
3.3v
图示 1. 测试 电路
管脚 配置
顶 视图
(不 至 规模)
8
7
6
5
1
2
3
4
强迫 2
sense 2
SHDN2
V
CC
强迫 1
sense 1
SHDN1
地
adm1051/
ADM1051A
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 一个
nd 测试 设备 和 能 释放 没有 发现.
虽然 这 adm1051/adm1051a 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的
损坏 将 出现 在 设备 subjected 至 高-活力 静电的 discharges. 因此,
恰当的 静电释放 预防措施 是 推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的
符合实际.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
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