rev. 0
adm1051/adm1051a
–9–
供应 解耦
这 供应 至 这 流 的 一个 外部 场效应晶体管 应当 是
decoupled 作关闭 作 可能 至 这 流 管脚 的 这 设备, 和
在 least 100
µ
f 至 地面. 这 输出 从 这 源 的 这
场效应晶体管应当 是 decoupled 作 关闭 作 可能 至 这 源
管脚 的 这 设备. 解耦 电容 应当 是 选择 至 有
一个 低 相等的 序列 阻抗 (等效串联电阻), 典型地 50 m
Ω
或者
更小的. 和 这 mosfets 指定, 和 二 100
µ
f 电容
在 并行的, 这 电路 将 是 稳固的 为 加载 电流 向上 至 2 一个.
这 v
CC
管脚 的 这 adm1051/adm1051a 应当 是 decoupled
和 在 least 1
µ
f 至 地面, 连接 作 关闭 作 可能 至
这 v
CC
和 地 管脚.
在 实践, 这 数量 的 解耦 必需的 将 取决于 在
这 应用. pc motherboards 是 notoriously 嘈杂的 envi-
ronments, 和 它 将 是 需要 至 雇用 distributed 解耦
至 达到 可接受的 噪音 水平 在 这 供应 围栏.
SHDN1
V
CC
ADM1051
SHDN2
1
F
leave 打开 或者
连接 至
逻辑 信号
如果 关闭
必需的
PHD55N03LT
强迫 2
sense 2
100
F
2
100
F
V
OUT1
强迫 1
sense 1
V
在
3.3v
12V
MTD3055VL
100
F
2
100
F
V
OUT2
V
在
3.3v
图示 6. 典型 adm1051 应用 电路
选择 的 场效应晶体管
作 先前 discussed, 这 加载 电流 在 这个 一个 输出 变得
在 hiccup 模式 取决于 在 这 在 阻抗 的 这 外部
场效应晶体管. 如果 这 在 阻抗 是 too 低, 这个 电流 将 是
非常 高; 如果 这 在 阻抗 是 高, 这 trip 电流 将 是
更小的 比 这 最大 必需的 加载 电流. 为 这 primary
应用 的 agp 和 ich 电源 供应 和 总线 termina-
tion 在 个人的 计算机 motherboards, 设备 和 非常
低 在 阻抗, 此类 作 这 phd55n03lt 从 飞利浦,
或者 这sub60n06-18 从 siliconix, 是 合适的. 为 频道 2,
suitable 设备 是 这 mtd3055vl 从 motorola 和 这
PHB11N06LT从 飞利浦.
powering 供应 sequencing
一些 i/o 控制 hub chipsets 有 电源-供应 sequencing
(所需的)东西, 这个 dictate 那 这 1.818 v 供应 必须 从不
是 更多 比 2 v 在下 这 3.3 v 供应. 这个 必要条件 能
是 符合 使用 这 adm1051a, 作 显示 在 图示 7. 在 这个
电路, v
CC
是 有提供的 从 这 5 v 备用物品 栏杆 (5 vsb) 和
从 这 12 v 栏杆 通过 肖特基 二极管. 5 vsb 是 总是 呈现
当 交流 电源 是 有提供的 至 这 系统, 所以 这 adm1051a 是
powered 向上, 但是 v
CC
是 在下 这 por 门槛. 当 这 主要的
电源 供应 是 转变 在, 这 频道 2 输出 将 上升 在
这 一样 比率 作 这 3.3 v 栏杆 直到 它 regulates 在 1.818 v. 这
12 v 供应 将 引领 在 从 5 vsb 当 它 超过 这 5 vsb
栏杆, 和 频道 1 将 然后 是 主题 至 这por 延迟. 这个
确保 那频道 2 能 从不 是 更多 比 2 v在下
频道 1.
SHDN1
V
CC
ADM1051A
SHDN2
0.1
F
PHD55N03LT
强迫 2
sense 2
100
F
2
100
F
V
OUT1
强迫 1
sense 1
V
在
3.3v
12V
MTD3055VL
100
F
2
100
F
V
OUT2
V
在
3.3v
3.3v
10k
BAT45C
BAT45C
5VSB
图示 7. 典型 adm1051a 应用 电路
热的 仔细考虑
热温 发生 在 这 外部 场效应晶体管 必须 是 dissipated
和 这 接合面 温度 的 这 设备 保持 在里面 接受-
能 限制. 这 电源 dissipated 在 这 设备 是, 的 航线, 这
流-源 电压 multiplied 用 这 加载 电流. 这 必需的
热的 阻抗 至 包围的 是 给 用
J
一个
=
T
J
(
最大值
)
–
T
AMB
(
最大值
)
/(
V
DS
(
最大值
)
×
I
输出
(
最大值
)
)
表面-挂载 mosfets, 此类 作 那些 指定, 必须 rely 在
热温 传导 通过 这 设备 leads 和 这 pcb. 一个
正方形的inch 的 铜 (645 sq. mm) 给 一个 热的 阻抗
的 周围 60
°
c/w 为 一个 sot-223 表面-挂载 包装 和
80
°
c/w 为 一个 所以-8 表面-挂载 包装.
为 高 电源 消耗 那 能 是 accommodated 用 一个
表面-挂载 包装, d
2
pak 或者 至-220 设备 是rec-
ommended. 这些 应当 是 挂载 在 一个 热温 下沉 和 一个
热的阻抗 低 足够的 至 维持 这 必需的 maxi-
mum 接合面 温度.
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