adm1085/adm1086/adm1087/adm1088
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电路 信息
定时 特性 和 真实 tables
这 使能 输出 的 这 adm1085/adm1086/adm1087/
adm1088 是 related 至 这 v
在
和 使能 输入 用 一个 简单的
和 函数. 这 使能 输出 是 asserted 仅有的 如果 这 使能
输入 是 asserted 和 这 电压 在 v
在
是 在之上 v
th_rising
, with
这 时间 延迟 消逝. 表格 5 和 表格 6 显示 这 使能
输出 逻辑 states 为 不同的 v
在
/使能 输入 结合体
当 这 电容 延迟 有 消逝. 这 定时 图解 在
图示 18 和 图示 19 给 一个 graphical 描述 的 如何
这 adm1085/adm1086/adm1087/adm1088 使能 输出
respond 至 v
在
和 使能 输入 信号.
表格 5. adm1085/adm1086 真实 表格
V
在
enin enout
<v
th_下落
0 0
<v
th_下落
1 0
>v
th_rising
0 0
>v
th_rising
1 1
表格 6. adm1087/adm1088 真实 表格
V
在
ENIN ENOUT
<v
th_下落
1 1
<v
th_下落
0 1
>v
th_rising
1 1
>v
th_rising
0 0
04591-prg-023
V
在
ENIN
ENOUT
t
EN
V
th_rising
V
th_下落
图示 18. adm1085/adm1086 定时 图解
04591-prg-024
V
在
ENIN
ENOUT
t
EN
V
th_rising
V
th_下落
图示 19. adm1087/adm1088 定时 图解
当 v
在
reaches 这 upper 门槛 电压 (v
th_rising
), 一个
内部的 电路 发生 一个 延迟 (t
EN
) 在之前 这 使能 输出
是 asserted. 如果 v
在
drops 在下 这 更小的 门槛 电压
(v
th_下落
), 这 使能 输出 是 deasserted 立即.
similarly, 如果 这 使能 输入 是 无能 当 v
在
是 在之上 这
门槛, 这 使能 输出 deasserts 立即. 不像 v
在
, 一个
低-至-高 转变 在 enin (或者 高-至-低 在
ENIN
) 做
不 yield 一个 时间 延迟 在 enout (
ENOUT
).
电容-可调整的 延迟 电路
图示 20 显示 这 内部的 电路系统 使用 至 发生 这 时间
延迟 在 这 使能 输出. 一个 250 na 电流 源 charges 一个
小 内部的 parasitic 电容, c
INT
. 当 这 电容
电压 reaches 1.2 v, 这 使能 输出 是 asserted. 这 时间
带去 为 这 电容 至 reach 1.2 v, 在 增加 至 这 propa-
gation 延迟 的 这 比较器, constitutes 这 使能 timeout,
这个 是 典型地 35 µs.
至 降低 这 延迟 在 v
在
下落 在下 v
th_下落
和
这 使能 输出 de-asserting, 一个 nmos 晶体管 是 con-
nected 在 并行的 和 c
INT
. 这 输出 的 这 电压 探测器
是 连接 至 这 门 的 这个 晶体管 所以 那, 当 v
在
falls
在下 v
th_下落
, 这 晶体管 switches 在 和 c
INT
discharges
quickly.
04591-prg-024
1.2v
C
C
INT
CEXT
信号 从
电压
探测器
至 和 门
和 输出
平台
V
CC
250nA
图示 20. 电容-可调整的 延迟 电路
连接 一个 外部 电容 至 这 cext 管脚 延迟 这
上升 time—and 因此 这 使能 timeout—further. 这
relationship 在 这 值 的 这 外部 电容 和 这
结果 timeout 是 典型 用 这 下列的 等式:
t
EN
= (
C
× 4.8 ×10
6
) + 35 µs
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