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rev. b
ADM1232–SPECIFICATIONS
(v
CC
= 全部 运行 范围, t
一个
= t
最小值
至 t
最大值
除非 否则 指出)
P
arameter 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况/comments
温度 –40 +85
°
CT
一个
= t
最小值
至 t
最大值
电源 供应
电压 4.5 5.0 5.5 V
电流 20 50
µ
AV
IL
, v
IH
= cmos 水平
200 500
µ
AV
IL
, v
IH
= ttl 水平
STROBE
和
铅 重置
输入
输入 高 水平的 2.0 V
CC
+ 0.3 V
输入 低 水平的 –0.3 +0.8 V
输入 泄漏 电流
(
STROBE
, 容忍) –1.0 +1.0
µ
一个
TD 1.6
µ
一个
输出 电流
重置 8 10 毫安 当 v
CC
是 在 4.5 v–5.5 v
重置
, 重置 –8 –12 毫安 当 v
CC
是 在 4.5 v–5.5 v
输出 电压
重置
/重置 V
CC
– 0.5 V
CC
– 0.1 V 当 sourcing 较少 比 500
µ
一个, 重置 remains
在里面 0.5 v 的 v
CC
在 电源-向下 直到 v
CC
drops 在下 2.0 v. 当 sinking 较少 比
500
µ
一个,
重置
仍然是 在里面 0.5 v 的 地
在 电源-向下 直到 v
CC
drops 在下 2.0 v.
重置
/重置 高 水平的 0.4 V
重置
/重置 低 水平的 2.4 V
1 v 运作
重置 输出 电压 V
CC
– 0.1 V 当 sourcing 较少 比 50
µ
一个
重置
输出 电压 0.1 V 当 sinking 较少 比 50
µ
一个
V
CC
trip 要点
5% 4.5 4.62 4.74 V 容忍 = 地
10% 4.25 4.37 4.49 V 容忍 = v
CC
电容
输入 (
STROBE
, 容忍) 5 pF T
一个
= +25
°
C
输出 (重置,
重置
)7pft
一个
= +25
°
C
铅 重置
时间 20 ms
铅 重置
必须 是 使保持 低 为 一个 最小
延迟 1 4 20 ms 的 20 ms 至 保证 一个 重置
重置 起作用的 时间 250 610 1000 ms
STROBE
脉冲波 宽度 70 ns
timeout 时期 62.5 150 250 ms td = 0 v
250 600 1000 ms td = floating
500 1200 2000 ms td = v
CC
V
CC
下降 时间 10
µ
S
有保证的 用 设计
上升 时间 0
µ
S
有保证的 用 设计
V
CC
失败 发现 至 重置 输出 延迟
重置 和
重置
是 logically 准确无误的 50
µ
s 之后 v
CC
falls 在下 这 设置 容忍 电压
(图示 5)
250 610 1000 ms 之后 v
CC
rises 在之上 这 设置 容忍 电压
规格 主题 至 改变 没有 注意.
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