ADM2486
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规格
2.7 v ≤ v
DD1
≤ 5.5 v, 4.75 v ≤ v
DD2
≤ 5.25 v, t
一个
= t
最小值
至 t
最大值
, 除非 其它wise 指出.
表格 1.
参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况/comments
驱动器
差别的 输出
差别的 输出 电压, v
OD
5 V r = ∞, 看 图示 3
2.1 5 V r = 50 Ω (rs-422), 看 图示 3
2.1 5 V r = 27 Ω (rs-485), 看 图示 3
2.1 5 v
V
TST
= −7 v 至 12 v, v
DD1
≥ 4.7,
看 图示 4
∆ |v
OD
| 为 complementary 输出 states 0.2 V r = 27 Ω 或者 50 Ω, 看 图示 3
一般模式 输出 电压, v
OC
3 V r = 27 Ω 或者 50 Ω, 看 图示 3
∆ |v
OC
| 为 complementary 输出 states 0.2 V r = 27 Ω 或者 50 Ω, 看 图示 3
输出 短的-电路 电流, v
输出
= 高 60 200 毫安 −7 v ≤ v
输出
≤ +12 v
输出 短的-电路 电流, v
输出
= 低 60 200 毫安 −7 v ≤ v
输出
≤ +12 v
总线 使能 输出
输出 高 电压 V
DD2
− 0.1 V I
ODE
= 20 µa
V
DD2
− 0.3 V
DD2
− 0.1 V I
ODE
= 1.6 毫安
V
DD2
− 0.4 V
DD2
− 0.2 V I
ODE
= 4 毫安
输出 低 电压 0.1 V I
ODE
= −20 µa
0.1 0.3 v i
ODE
= −1.6 毫安
0.2 0.4 v i
ODE
= −4 毫安
逻辑 输入
输入 高 电压 0.7 v
DD1
V
txd, rts, re
, pv
输入 低 电压 0.25 v
DD1
V
txd, rts, re
, pv
cmos 逻辑 输入 电流 (txd, rts, re, pv)
−10 0.01 10 µa
txd, rts, re, pv = v
DD1
或者 0 v
接受者
差别的 输入
差别的 输入 门槛 电压, v
TH
−200 200 mV −7 v ≤ v
CM
≤ +12v
输入 hysteresis 70 mV −7 v ≤ v
CM
≤ +12v
输入 阻抗 (一个, b) 20 30 kΩ −7 v ≤ v
CM
≤ +12v
输入 电流 (一个, b)
0.6 毫安 v
在
= +12 v
−0.35 毫安 v
在
= −7 v
rxd 逻辑 输出
输出 高 电压 V
DD1
− 0.1 V I
输出
= 20 µa, v
一个
− v
B
= 0.2 v
V
DD1
− 0.4 V
DD1
− 0.2 V I
输出
= 4 毫安, v
一个
− v
B
= 0.2 v
输出 低 电压 0.1 V I
输出
= −20 µa, v
一个
− v
B
= −0.2 v
0.2 0.4 v i
输出
= −4 毫安, v
一个
− v
B
= −0.2 v
输出 短的-电路 电流 7 85 毫安 V
输出
= 地 或者 v
CC
三-状态 输出 泄漏 电流 ±1 µA 0.4 v ≤ v
输出
≤ 2.4 v
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