ADM101E_集成电路资料查询网

rev. 0
–2–
ADM101E–SPECIFICATIONS
(v
CC
= +5 v

10%, c1 = c2 = 0.1

f. 所有 规格 t
最小值
至 t
最大值
除非
否则 指出.)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况/comments
输出 电压 摆动
±
3.5
±
4.2 V V
CC
= 5 v
±
5%, t
输出
承载 和 3 k
Ω
至 地
±
3.25
±
4.2 V V
CC
= 5 v
±
10%, t
输出
承载 和 3 k
Ω
至
地
V
CC
电源 供应 电流 (unloaded) 0.5 1 毫安 非 加载, t
在
= v
CC
或者 地
V
CC
电源 供应 电流 (承载) 1.85 2.5 毫安 T
输出
承载 和 3 k
Ω
至 地
V
CC
电源 供应 电流 (关闭) 1
µ
一个 sd 输入 = v
CC
输入 逻辑 门槛 低, v
INL
0.8 V
输入 逻辑 门槛 高, v
INH
2.4 V
输入 泄漏 电流
±
1
µ
一个
rs-232 输入 电压 范围 –15 +15 V
rs-232 输入 门槛 低 0.8 2.2 V
rs-232 输入 门槛 高 2.4 2.6 V
rs-232 输入 hysteresis 0.2 V
rs-232 输入 阻抗 357k
Ω
ttl/cmos 输出 电压 低, v
OL
0.4 V I
输出
= 1.6 毫安
ttl/cmos 输出 电压 高, v
OH
3.5 V I
输出
= –1.0 毫安
传播 延迟 0.25
µ
s rs-232 至 ttl
instantaneous 回转 比率
1
25 v/
µ
sC
L
= 10 pf, r
L
= 3 k
Ω
–7 k
Ω
, t
一个
= +25
°
C
转变 区域 回转 比率 11 v/
µ
sR
L
= 3 k
Ω
, c
L
= 1000 pf
量过的 从 +3 v 至 –3 v 或者 恶行 对抗
波特 比率 460 kB R
L
= 3 k
Ω
, c
L
= 1 nf
输出 阻抗 300
Ω
V
CC
= 0 v, v
输出
=
±
2 v
rs-232 输出 短的 电路 电流
±
25
±
60 毫安
注释
1
样本 测试 至 确保 遵从.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
绝对 最大 ratings*
(t
一个
= +25
°
c 除非 否则 指出)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +6 v
V– . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +0.3 v 至 –6 v
输入 电压
驱动器 输入 t
在
. . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 (v
CC
, +0.3 v)
接受者 输入 r
在
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
30 v
输出 电压
驱动器 输出 t
输出
. . . . . . . . (v
CC
, +0.3 v) 至 (v–, –0.3 v)
接受者 输出 r
输出
. . . . . . . . . . . –0.3 v 至 (v
CC
+0.3 v)
短的 电路 持续时间
T
输出
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .持续的
电源 消耗
rm-10
(减额 12 mw/
°
c 在之上 +70
°
c) . . . . . . . 1488 mW
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +135
°
c/w
运行 温度 范围
工业的 (一个 版本) . . . . . . . . . . . . . . . . –40
°
c 至 +85
°
C
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 焊接
vapor 阶段 (60 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+215
°
C
infrared (15 秒). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+220
°
C
静电释放 比率 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . >2000 v
静电释放 比率 (i-o 管脚) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 kv
*this 是 一个 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它
情况 在之上 那些 表明 在 这 运作 sections 的 这个 规格 是
不 暗指.  暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展
时期 的 时间 将 影响 可靠性.
订货 手册
温度 包装 包装
模型 范围 描述 选项
ADM101EARM –40
°
c 至 +85
°
C
µ
SOIC rm-10

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rev. 0 –2– ADM101E–SPECIFICATIONS (v CC = +5 v  10%, c1 = c2 = 0.1  f. 所有规格 t 最小值至 t 最大值除非否则指出.) 参数最小值典型值最大值单位测试情况/comments 输出电压摆动 ± 3.5 ± 4.2 V V CC = 5 v ± 5%, t 输出承载和 3 k Ω 至地 ± 3.25 ± 4.2 V V CC = 5 v ± 10%, t 输出承载和 3 k Ω 至地 V CC 电源供应电流 (unloaded) 0.5 1 毫安非加载, t 在 = v CC 或者地 V CC 电源供应电流 (承载) 1.85 2.5 毫安 T 输出承载和 3 k Ω 至地 V CC 电源供应电流 (关闭) 1 µ 一个 sd 输入 = v CC 输入逻辑门槛低, v INL 0.8 V 输入逻辑门槛高, v INH 2.4 V 输入泄漏电流 ± 1 µ 一个 rs-232 输入电压范围 –15 +15 V rs-232 输入门槛低 0.8 2.2 V rs-232 输入门槛高 2.4 2.6 V rs-232 输入 hysteresis 0.2 V rs-232 输入阻抗 357k Ω ttl/cmos 输出电压低, v OL 0.4 V I 输出 = 1.6 毫安 ttl/cmos 输出电压高, v OH 3.5 V I 输出 = –1.0 毫安传播延迟 0.25 µ s rs-232 至 ttl instantaneous 回转比率 1 25 v/ µ sC L = 10 pf, r L = 3 k Ω –7 k Ω , t 一个 = +25 ° C 转变区域回转比率 11 v/ µ sR L = 3 k Ω , c L = 1000 pf 量过的从 +3 v 至 –3 v 或者恶行对抗波特比率 460 kB R L = 3 k Ω , c L = 1 nf 输出阻抗 300 Ω V CC = 0 v, v 输出 = ± 2 v rs-232 输出短的电路电流 ± 25 ± 60 毫安注释 1 样本测试至确保遵从. 规格主题至改变没有注意. 绝对最大 ratings* (t 一个 = +25 ° c 除非否则指出) V CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +6 v V– . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +0.3 v 至 –6 v 输入电压驱动器输入 t 在 . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 (v CC , +0.3 v) 接受者输入 r 在 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ± 30 v 输出电压驱动器输出 t 输出 . . . . . . . . (v CC , +0.3 v) 至 (v–, –0.3 v) 接受者输出 r 输出 . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 (v CC +0.3 v) 短的电路持续时间 T 输出 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .持续的电源消耗 rm-10 (减额 12 mw/ ° c 在之上 +70 ° c) . . . . . . . 1488 mW 热的阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +135 ° c/w 运行温度范围工业的 (一个版本) . . . . . . . . . . . . . . . . –40 ° c 至 +85 ° C 存储温度范围 . . . . . . . . . . . . –65 ° c 至 +150 ° C 含铅的温度焊接 vapor 阶段 (60 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+215 ° C infrared (15 秒). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+220 ° C 静电释放比率 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . >2000 v 静电释放比率 (i-o 管脚) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 kv *this 是一个压力比率仅有的; 函数的运作的这设备在这些或者任何其它情况在之上那些表明在这运作 sections 的这个规格是不暗指. 暴露至绝对最大比率情况为扩展时期的时间将影响可靠性. 订货手册温度包装包装模型范围描述选项 ADM101EARM –40 ° c 至 +85 ° C µ SOIC rm-10

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