rev. 一个
–2–
ADM1485–SPECIFICATIONS
(v
CC
= +5 v
5%. 所有 规格 t
最小值
至 t
最大值
除非 否则 指出.)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况/comments
驱动器
差别的 输出 电压, v
OD
5.0 V r =
∞
, 图示 1
2.0 5.0 V V
CC
= 5 v, r = 50
Ω
(rs-422), 图示 1
1.5 5.0 V r = 27
Ω
(rs-485), 图示 1
V
OD3
1.5 5.0 V V
TST
= –7 v 至 +12 v, 图示 2
∆
|V
OD
| 为 complementary 输出 states 0.2 V r = 27
Ω
或者 50
Ω
, 图示 1
一般模式 输出 电压 v
OC
3 V r = 27
Ω
或者 50
Ω
, 图示 1
∆
|V
OD
| 为 complementary 输出 states 0.2 V r = 27
Ω
或者 50
Ω
输出 短的 电路 电流 (v
输出
= 高) 35 250 毫安 –7 v
≤
V
O
≤
+12 v
输出 短的 电路 电流 (v
输出
= 低) 35 250 毫安 –7 v
≤
V
O
≤
+12 v
cmos 输入 逻辑 门槛 低, v
INL
0.8 V
cmos 输入 逻辑 门槛 高, v
INH
2.0 V
逻辑 输入 电流 (de, di)
±
1.0
µ
一个
接受者
差别的 输入 门槛 电压, v
TH
–0.2 +0.2 V –7 v
≤
V
CM
≤
+12 v
输入 电压 hysteresis,
∆
V
TH
70 mV V
CM
= 0 v
输入 阻抗 12 k
Ω
–7 v
≤
V
CM
≤
+12 v
输入 电流 (一个, b) + 1 毫安 V
在
= 12 v
–0.8 毫安 V
在
= –7 v
逻辑 使能 输入 电流 (
RE
)
±
1
µ
一个
cmos 输出 电压 低, v
OL
0.4 V I
输出
= +4.0 毫安
cmos 输出 电压 高, v
OH
4.0 V I
输出
= –4.0 毫安
短的 电路 输出 电流 7 85 毫安 V
输出
= 地 或者 v
CC
tristate 输出 泄漏 电流
±
1.0
µ
一个 0.4 v
≤
V
输出
≤
+2.4 v
电源 供应 电流
I
CC
(输出 使能) 1.35 2.2 毫安 输出 unloaded, 数字的 输入 = 地 或者 v
CC
I
CC
(输出 无能) 0.7 1 毫安 输出 unloaded, 数字的 输入 = 地 或者 v
CC
规格 主题 至 改变 没有 注意.
定时 规格
参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况/comments
驱动器
传播 延迟 输入 至 输出 t
PLH
, t
PHL
21015nsR
L
diff = 54
Ω
C
L1
= c
L2
= 100 pf, 图示 3
驱动器 o/p 至
o/p
T
SKEW
05nsR
L
diff = 54
Ω
C
L1
= c
L2
= 100 pf, 图示 3
驱动器 上升/下降 时间 t
R
, t
F
210nsR
L
diff = 54
Ω
C
L1
= c
L2
= 100 pf, 图示 3
驱动器 使能 至 输出 有效的 10 25 ns
驱动器 使不能运转 定时 10 25 ns
接受者
传播 延迟 输入 至 输出 t
PLH
, t
PHL
18 25 40 ns C
L
= 15 pf, 图示 5
skew |t
PLH
–T
PHL
|05ns
接受者 使能 t
EN1
15 25 ns 图示 6
接受者 使不能运转 t
EN2
15 25 ns 图示 6
规格 主题 至 改变 没有 注意.
(v
CC
= +5 v
5%. 所有 规格 t
最小值
至 t
最大值
除非 否则 指出.)
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