rev. 0
ADP3170
–12–
高等级的 效率, 但是 增加 这 系统 费用. 一个 仙童
fdb7045l (r
ds(在)
= 4.5 m
Ω
名义上的, 6 m
Ω
worst-情况) 是 一个
好的 选择 为 两个都 这 低-一侧 和 高-一侧 场效应晶体管.
和 这个 选择, 这 高-一侧 场效应晶体管 消耗 是:
PR I
VI Qf
I
VQ f
Pm 一个
一个 nC kHz
一个
V nC kHz W
HSF DS 在 HSF HSF 最大值
在 L 顶峰 G 最小值
G
在 RR 最小值
HSF
=×+
×××
×
+
××
=× +
×××
×
+
×× =
() ( )
()
.
.
.
2
2
2
6147
5 28 6 50 183
21
5 100 183 2 04
Ω
(24)
在哪里 这 第二 期 代表 这 转变-止 丧失 的 这
场效应晶体管 和 这 第三 期 代表 这 转变-在 丧失 预定的 至
这 贮存 承担 在 这 身体 二极管 的 这 低-一侧 场效应晶体管.
在 这 第二 期, q
G
是 这 门 承担 至 是 移除 从
这 门 为 turnoff 和 i
G
是 这 门 转变-止 电流. 从 这
数据 薄板, 这 值 的 q
G
为 这 fdb7045l 是 50 nc 和 这
顶峰 门 驱动 电流 提供 用 这 adp3170 是 关于 1 一个. 在
这 第三 期, q
RR
是 这 承担 贮存 在 这 身体 二极管 的
这 低-一侧 场效应晶体管 在 这 valley 的 这 inductor 电流.
这 数据 薄板 的 这 fdb7045l 做 不 给 那 informa-
tion, 所以 一个 estimated 值 的 100 nc 是 使用. 这 估计 是
为基础 在 信息 建立 在 这 数据 薄板 的 类似的 devices.
这 低-一侧 场效应晶体管 消耗 是:
PR I
PmA W
LSF DS 在 HSF HSF 最大值
LSF
=×
=× =
() ( )
.
2
2
618194
Ω
(25)
便条 那 那里 是 非 切换 losses 在 这 低-一侧 场效应晶体管.
表面 挂载 mosfets 是 preferred 在 cpu 核心 转换器
产品 预定的 至 它们的 能力 至 是 处理 用 自动
组装 设备. 这 至-263 包装 提供 这 电源
处理 的 一个 至-220 在 一个 表面 挂载 包装. 不管怎样,
这个 包装 安静的 needs 足够的 铜 范围 在 这 pcb 至
帮助 move 这 热温 away 从 这 包装.
这 接合面 温度 为 一个 给 范围 的 二-ounce 铜
能 是 近似 使用:
TPT
AD 一个
JJ
=×
()
+θ
(26)
假设:
JA
= 45
°
c/w 为 0.5 在
2
JA
= 36
°
c/w 为 1 在
2
JA
= 28
°
c/w 为 2 在
2
为 1 在
2
的 铜 范围 连结 至 各自 晶体管 和 一个
包围的 温度 的 50
°
c:
TCWWCC
TCWWCC
HSF
LSF
J
J
=×
()
+=
=×
()
+=
28 2 06 50 108
28 1 94 50 104
ooo
ooo
/.
/.
所有 的 这 在之上-计算 接合面 温度 是 safely
在下 这 175
°
c 最大 指定 接合面 温度 的
这 选择 mosfets.
电源 mosfets
二 外部 n-频道 电源 mosfets 必须 是 选择 为
使用 和 这 adp3170, 一个 为 这 主要的 转变 和 一个 为 这
同步的 转变. 这 主要的 选择 参数 为 这电源
mosfets 是 这 门槛 电压 (v
gs(th)
), 这 在-resistance
(r
ds(在)
), 和 这 门 承担 (q
G
). 逻辑-水平的 mosfets 是
高级地 推荐. 仅有的 逻辑-水平的 mosfets 和 v
GS
比率
高等级的 比 这 绝对 最大 值 的 v
CC
应当 是 使用.
这 最大 输出 电流 i
o(最大值)
确定 这 r
ds(在)
必要条件 为 这 二 电源 mosfets. 当 这 adp3170
是 运行 在 持续的 模式, 这 simplifying assumption 能
是 制造 那 一个 的 这 二 mosfets 是 总是 组织
这 平均 加载 电流. 为 v
在
= 5 v 和 v
输出
= 1.8 v, 这
最大 职责 比率 的 这 高-一侧 场效应晶体管 是:
Dft
DkHzs
HSF 最大值 最小值 止
HSF 最大值
()
()
–
–( . ) %
=×
()
=×=
1
1183 33 40
µ
(17)
这 最大 职责 比率 的 这 低-一侧 (同步的 整流器)
场效应晶体管 是:
DD
LSF 最大值 HSF 最大值
() ()
–%
==
160
(18)
这 最大 rms 电流 的 这 高-一侧 场效应晶体管 是:
ID
IIIvI
I
AAAA
一个
HSF 最大值 HSF 最大值
L VALLEY L VALLEY L 顶峰 L 顶峰
HSF 最大值
() ()
( ) ( )() ()
()
.
.(. .).
.
=×
+×
()
+
=×
+×+
=
22
22
3
04
17 4 17 4 28 6 28 6
3
14 7
(19)
这 最大 rms 电流 的 这 低-一侧 场效应晶体管 是:
ID
IIII
I
AAAA
一个
LSF 最大值 LSF 最大值
L VALLEY L VALLEY L 顶峰 L 顶峰
HSF 最大值
() ()
()()()()
()
.
....
=×
+×
()
+
=×
+×
()
+
=
22
22
3
06
17 4 17 4 28 6 28 6
3
18
(20)
这 r
ds(在)
为 各自 场效应晶体管 能 是 获得 从 这
容许的 消耗. 如果 10% 的 这 最大 输出 电源 是
允许 为 场效应晶体管 消耗, 这 总的 消耗 将 是:
PVI
PVAW
D 场效应晶体管 输出 输出 最大值
D 场效应晶体管
s
s
() ( )
()
.
.. .
=× ×
=× × =
01
01 18 23 41
(21)
allocating half 的 这 总的 消耗 为 这 高-一侧场效应晶体管 和
half 为 这 低-一侧 场效应晶体管, 和 假设 那 这 resis-
tive 丧失 的 这 高-一侧 场效应晶体管 是 一个-第三, 和 这 切换
丧失 是 二-thirds 的 它的 portion, 这 必需的 最大 场效应晶体管
抵制 将 是:
R
P
I
W
一个
m
DS 在 HSF
D FETS
HSF 最大值
()
()
()
.
.
=
×
=
×
=
3
41
3147
6
2
2
Ω
(22)
R
P
I
W
一个
m
DS 在 LS
D FETS
LSF 最大值
()
()
()
.
==
×
=
22
41
218
6
Ω
(23)
便条 那 那里 是 一个 trade-止 在 转换器 效率 和
费用. 大 mosfets 减少 这 传导 losses 和 准许
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