rev. 0
–3–
ADP3170
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
电源 好的 比较器
欠压 门槛 V
pwrgd(uv)
% 的 名义上的 dac 电压 74 80 86 %
欠压 hysteresis % 的 名义上的 dac 电压 5 %
超（电）压 门槛 V
pwrgd(ov)
% 的 名义上的 dac 电压 114 120 126 %
超（电）压 重置 要点 % 的 名义上的 dac 电压 40 50 60 %
输出 电压 低 V
ol(pwrgd)
I
pwrgd(下沉)
= 1 毫安 250 500 mV
回馈 时间 200 ns
供应
直流 供应 电流
2
I
CC
7.5 9.5 毫安
uvlo 门槛 电压 V
UVLO
6.75 7 7.25 V
uvlo hysteresis 0.8 1 1.2 V
注释
1
所有 限制 在 温度 extremes 是 有保证的 通过 correlation 使用 标准 statistical 质量 控制 (sqc).
2
动态 供应 电流 是 高等级的 预定的 至 这 门 承担 正在 delivered 至 这 外部 mosfets.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
绝对 最大 比率
*
VCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +15 v
drvh, drvl, lrdrv . . . . . . . . . . –0.3 v 至 vcc + 0.3 v
所有 其它 输入 &放大; 输出 . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +10 v
运行 包围的 温度 范围 . . . . . . . 0
°
c 至 70
°
C
运行 接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
°
C
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . .–65
°
c 至 +150
°
C
JA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
°
c/w
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) . . . . . . . . . . . . 300
°
C
vapor 阶段 (60 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215
°
C
infrared (15 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
°
C
*
这个 是 一个 压力 比率 仅有的; 运作 在之外 这些 限制 能 导致 这 设备 至
是 permanently 损坏. 除非 否则 指定, 所有 电压 是 关联
至 地.
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现. 虽然
这 adp3170 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将 出现 在
设备 subjected 至 高-活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放 预防措施 是
推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
订货 手册
模型 温度 范围 包装 描述 包装 选项
ADP3170JRU 0
°
c 至 70
°
C TSSOP ru-20
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