rev. b–10–
adp3160/adp3167
R
SENSE
The 值 的 r
SENSE
是 为基础 在 这 最大 必需的 输出
电流. 这 电流 比较器 的 这 adp3160 有 一个 迷你-
mum 电流 限制 门槛 的 142 mv. 便条 那 这 142 mV
值 不能 是 使用 为 这 最大 指定 名义上的 current,
作 头上空间 是 需要 为 波纹 电流 和 容忍.
这 电流 比较器 门槛 sets 这 顶峰 的 这 inductor
电流 yielding 一个 最大 输出 电流, i
O
, 这个 相等
两次 这 顶峰 inductor 电流 值 较少 half 的 这 顶峰-至-
顶峰 inductor 波纹 电流. 从 这个 这 最大 值 的
R
SENSE
是 计算 作:
R
V
I
I
mV
AA
m
SENSE
CS CL 最小值
O
LRIPPLE
£
+
=
+
=W
()( )
()
..
.
22
142
26 7 6 1
43
(6)
在 这个 情况, 4 m
W
是 选择 作 这 closest 标准 值.
once r
SENSE
有 被 选择, 这 输出 电流 在 这 要点
在哪里 电流 限制 是 reached, i
输出(cl)
, 能 是 计算 使用
这 最大 电流 sense 门槛 的 172 mv:
I
V
R
I
mV
m
AA
输出 CL
CS CL 最大值
SENSE
L 波纹
()
()( )
()
–
–. .
=¥ =
¥
W
=
2
2
172
4
12 2 73 8
(7)
在 输出 电压 在下 425 mv, 这 电流 sense 门槛 是
减少 至 95 mv, 和 这 波纹 电流 是 negligible. 那里-
fore, 在 dead 短的 这 输出 电流 是 减少 至:
I
mV
m
一个
输出 SC
()
.
=¥ =
2
95
4
47 5
W
(8)
至 safely carry 这 电流 下面 最大 加载 情况, 这
sense 电阻 必须 有 一个 电源 比率 的 在 least:
PI R
R SENSE RMS SENSE
SENSE
=¥
()
2
(9)
在哪里:
I
I
n
V
V
SENSE RMS
O 输出
在
()
2
2
=¥
¥h
(10)
在 这个 formula, n 是 这 号码 的 阶段, 和
是 这 转换器
效率, 在 这个 情况 assumed 至 是 85%. 结合 equations 9
和 10 产量:
P
AV
V
mmW
R
SENSE
=¥
¥
¥W=
53 4
2
17
085 12
4 950
2
..
.
电源 mosfets
在 这 标准 2-阶段 应用, 二 pairs 的 n-频道
电源 mosfets 必须 是 使用 和 这 adp3160 和
adp3412, 一个 一双 作 这 主要的 (控制) switches 和 这
其它 一双 作 这 同步的 整流器 switches. 这 主要的
selection 参数 为 这 电源 mosfets 是 v
gs(th)
和 r
ds(在)
. 这 最小 门 驱动 电压 (这 供应 volt-
age 至 这 adp3412) dictates whether 标准 门槛 或者
逻辑-水平的 门槛 mosfets 必须 是 使用. 自从 v
门
< 8 v,
逻辑-水平的 门槛 mosfets (v
gs(th)
< 2.5 v) 是 strongly
推荐.
这 最大 输出 电流 i
O
确定 这 r
ds(在)
需要-
ment 为 这 电源 mosfets. 当 这 adp3160 是运行
在 持续的 模式, 这 simplifying assumption 能 是 制造
那 在 各自 阶段 一个 的 这 二 mosfets 是 总是 conduct-
ing 这 平均 inductor 电流. 为 v
在
= 12 v 和
V
输出
= 1.6 v, 这 职责 比率 的 这 高-一侧 场效应晶体管 是:
D
V
V
HSF
输出
在
==
13 3.%
(11)
这 职责 比率 的 这 低-一侧 (同步的 整流器) 场效应晶体管 是:
DD
LSF HSF
==
1867–.%
(12)
The 最大 rms 电流 的 这 高-一侧 场效应晶体管 在
正常的 运作 是:
I
I
D
I
I
一个
HSF 最大值
O
HSF
LRIPPLE
O
()
()
.
=¥+
¥
Ê
Ë
Á
ˆ
¯
˜
=
2
1
3
98
2
2
(13)
这 最大 rms 电流 的 这 低-一侧 场效应晶体管 在
正常的 运作 是:
II
D
D
一个
LSF 最大值 HSF 最大值
LSF
HSF
() ()
==
25
(14)
这 r
ds(在)
为 各自 场效应晶体管 能 是 获得 从 这 准许能
消耗. 如果 10% 的 这 最大 输出 电源 是 允许 为
场效应晶体管 消耗, 这 总的 消耗 在 这 四 mosfets
的 这 2-阶段 转换器 将 是:
PVI
PVAW
场效应晶体管 总的 最小值 O
场效应晶体管 总的
()
()
.
.. . .
=¥ ¥
=¥ ¥ =
01
01 157 534 84
(15)
allocating half 的 这 总的 消耗 为 这 一双 的 高-一侧
mosfets 和 half 为 这 一双 的 低-一侧 mosfets, 和
假设 那 这 resistive 和 切换 losses 的 这 高-一侧
场效应晶体管 是 equal, 这 必需的 最大 场效应晶体管 resis-
tances 将 是:
R
P
I
R
W
一个
m
DS 在 HS 最大值
场效应晶体管 总的
HSF 最大值
DS 在 HS 最大值
()( )
()
()
()( )
.
(. )
=
¥
=
¥
=W
8
84
898
11
2
2
(16)
R
P
I
R
W
一个
m
DS 在 LS 最大值
场效应晶体管 总的
LSF 最大值
DS 在 LS 最大值
()( )
()
()
()( )
.
()
.
=
¥
=
¥
=W
4
84
425
34
2
2
(17)
便条 那 那里 是 一个 trade-止 在 转换器 效率 和
费用. 大 mosfets 减少 这 传导 losses 和 准许
高等级的 效率, 但是 增加 这 系统 费用. 如果 效率 是
不 一个 主要的 concern, 一个 仙童 fdb7030l (r
ds(在)
= 7 m
W
名义上的, 10 m
W
worst 情况) 为 这 高-一侧 和 一个 仙童
fdb8030l (r
ds(在)
= 3.1 m
W
名义上的, 5.6 m
W
worst 情况)
为 这 低-一侧 是 好的 choices. 这 高-一侧 场效应晶体管
消耗 是:
PR I
VI Qf
I
VQ f
HSF DS 在 HS
HFS 最大值
在 L PK G
SW
G
在 RR SW
=¥
()
+
¥¥¥
¥
+¥¥
()
()
()
()
2
2
(18)
在哪里 这 第二 期 代表 这 转变-止 丧失 的 这
场效应晶体管和 这 第三 期 代表 这 转变-在 丧失 预定的 至
这 贮存 承担 在 这 身体 二极管 的 这 低-一侧 场效应晶体管.
(在 这 第二 期,
Q
G
是 这 门 承担 至 是 移除 从
这 门 为 转变-止 和
I
G
是 这 门 转变-止 电流. 从
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