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rev. 0
ADT14G–SPECIFICATIONS
(v+ = 5 v, –40
C
≤
T
一个
≤
+125
c 除非 否则 指出)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
精度
精度 (setpoints 1, 2, 3 和 4) T
一个
= +25
°
C
±
2
±
3
°
C
精度 (setpoints 1, 2, 3 和 4) T
一个
= –40
°
c 至 +125
°
C
±
3
±
5
°
C
vptat 输出 规模 因素 +4.9 +5 +5.1 mv/k
选点 hysteresis 水平 T
一个
= +25
°
C 0.65, 1.5, 5
°
C
电源 供应 拒绝 比率 PSRR 4.5 v
≤
V
S
≤
13 v 0.1 0.25
°
c/v
线性 0.5
°
C
选点 输入
补偿 电压 V
OS
T
一个
= +25
°
C1mV
补偿 电压 mismatch T
一个
= +25
°
C 0.5 mV
输出 电压 逐渐变化 TCV
OS
3
µ
v/
°
C
输入 偏差 电流 I
B
25 100 nA
涉及 输出
线条 规章制度 4.5 v
≤
V
S
≤
13 v
±
0.1 %/v
加载 规章制度 I
源
= 10
µ
一个 至 500
µ
一个
±
0.25 %/毫安
输出 电压 V
REF
T
一个
= +25
°
c, 非 加载 2.49 2.5 2.51 V
输出 电压 V
REF
非 加载, –40
°
C
≤
T
一个
≤
+125
°
C 2.48 2.5 2.52 V
输出 逐渐变化 TCV
REF
±
30 ppm/
°
C
打开-集电级 输出
输出 低 电压 V
OL
I
下沉
= 1.6 毫安,
–40
°
C
≤
T
一个
≤
+85
°
C 0.25 0.4 V
输出 低 电压 V
OL
I
下沉
= 5 毫安 0.6 V
输出 泄漏 电流 I
OH
v+ = 12 v 1 100
µ
一个
下降 时间 t
HL
看 图示 1 40 ns
电源 供应
供应 范围 V+ 4.5 5.5 V
供应 电流 I
SY
unloaded 在 +5 v 400 600
µ
一个
供应 电流 I
SY
unloaded 在 +12 v 450
µ
一个
规格 主题 至 改变 没有 注意.
绝对 最大 ratings*
最大 供应 电压 . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +15 v
最大 选点 输入 电压 . . –0.3 v 至 ([v+] +0.3 v)
最大 涉及 输出 电流 . . . . . . . . . . . . . . 1 毫安
最大 打开-集电级 输出 电流 . . . . . . . . . 15 毫安
最大 打开-集电级 输出 电压 . . . . . . . . . +15 v
运行 温度 范围 . . . . . . . . . –55
°
c 至 +150
°
C
dice 接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175
°
C
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +160
°
C
含铅的 温度 (焊接, 60 秒) . . . . . . . . . . . +300
°
C
*CAUTION
1. 压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大
比率 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是
一个 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 在 或者 在之上 这个
规格 是 不 暗指. 暴露 至 这 在之上 最大
比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备
可靠性.
2. 数字的 输入 是 保护; 不管怎样, 永久的 损坏
将 出现 在 unprotected 单位 从 高-活力 electro-
静态的 地方. 保持 单位 在 传导性的 foam 或者 包装 在 所有
时间 直到 准备好 至 使用. 使用 恰当的 antistatic 处理
程序.
3. 除去 电源 在之前 inserting 或者 removing 单位 从 它们的
插座.
订货 手册
温度 包装 包装
模型/等级 范围
1
描述 选项
2
ADT14GP XIND 塑料 插件 n-16
ADT14GS XIND SOIC r-16a
注释
1
xind =
40
c 至
125
c.
2
n = 塑料 插件; r = 小 外形.
热的 包装 特性
包装 类型
JA
JC
单位
16-含铅的 塑料 插件 103 34
c/w
16-含铅的 soic 81 27
c/w
V+
1k
Ω
20pF
图示 1. 测试 加载
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