max4051/一个, max4052/一个, max4053/一个
低-电压, cmos 相似物
multiplexers/switches
4 _______________________________________________________________________________________
便条 2:
这 algebraic convention 是 使用 在 这个 数据 薄板; 这 大多数 负的 值 是 显示 在 这 最小 column.
便条 3:
∆
R
在
= r
在(最大值)
- r
在(最小值)
.
便条 4:
flatness 是 定义 作 这 区别 在 这 最大 和 最小 值 的 在-阻抗 作 量过的 在 这
指定 相似物 信号 范围; i.e., v
非
= 3v 至 0v 和 0v 至 -3v.
便条 5:
泄漏 参数 是 100% 测试 在 最大-评估 hot 运行 温度, 和 有保证的 用 correlation 在
T
一个
= +25°c.
便条 6:
有保证的 用 设计, 不 生产 测试.
c, e, m v2.4v
IH
增加, inh 输入 逻辑
门槛 高
T
一个
= +25°c
T
一个
= +25°c
情况
ns
ns75 250t
TRANS
转变 时间 图示 2
210t
打开
破裂-在之前-制造 延迟 图示 4
c, e, m
T
一个
= +25°c
ns
50 175
225
t
在
转变-在 时间 (便条 6) 图示 3
T
一个
= +25°c pF2C
非(止)
非 止 电容 V
非
= 地, f = 1mhz, 图示 7
T
一个
= +25°c
T
一个
= +25°c
c, e, m v±2.7 ±8v+, v-电源-供应 范围
-1 0.1 1
T
一个
= +25°c pF2C
com(止)
com 止 电容
单位
最小值 典型值 最大值
(便条 2)
SYMBOLPARAMETER
V
COM
= 地, f = 1mhz, 图示 7
pC210Q承担 injection (便条 6)
C
L
= 1nf, r
S
= 0
Ω
, v
非
= 0v,
图示 5
c, e, m
µA
10
i+v+ 供应 电流 inh = 增加 = 0v 或者 v+
电的 characteristics—dual 供应 (持续)
(v+ = +4.5v 至 +5.5v, v- = -4.5v 至 -5.5v, t
一个
= t
最小值
至 t
最大值
, 除非 否则 指出. 典型 值 是 在 t
一个
= +25°c.)
c, e, m v0.8v
IL
增加, inh 输入 逻辑
门槛 低
c, e, m µA-1 0.03 1I
IH
, i
IL
增加, inh 输入 电流
逻辑 高 或者 低
V
增加
, v
INH
= v+, 0v
c, e, m
T
一个
= +25°c
ns
40 150
200
t
止
转变-止 时间 (便条 6) 图示 3
T
一个
= +25°c pF8C
(在)
转变 在 电容
V
COM
= v
非
= 地, f = 1mhz,
图示 7
T
一个
= +25°c db<-90v
ISO
止 分开
C
L
= 15pf, r
L
= 50
Ω
, f = 100khz,
V
非
= 1v
RMS
, 图示 6
T
一个
= +25°c -1 0.1 1
c, e, m
µA
-10
i-v- 供应 电流 inh = 增加 = 0v 或者 v+
T
一个
= +25°c db<-90v
CT
频道-至-频道
串扰
C
L
= 15pf, r
L
= 50
Ω
, f = 100khz,
V
非
= 1v
RMS
, 图示 6
数字的 i/o
转变 动态 特性
电源 供应