SN74ALB16244
16-位 缓存区/驱动器
和 3-状态 输出
scbs647c – 8月 1995 – 修订 july 1997
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
成员 的 这 德州 器械
Widebus
家族
D
状态-的-这-艺术 先进的 低-电压
bicmos (alb) 技术 设计 为 3.3-v
运作
D
肖特基 二极管 在 所有 输入 至 eliminate
越过 和 undershoot
D
工业 标准 ’16244 引脚
D
distributed v
CC
和 地 管脚 配置
降低 高-速 切换 噪音
D
流动-通过 architecture optimizes pcb
布局
D
包装 选项 包含 塑料 300-mil
shrink 小-外形 (dl) 和 薄的 shrink
小-外形 (dgg) 包装
描述
这 sn74alb16244 16-位 缓存区 和 线条 驱动器
是 设计 为 高-速, 低-电压 (3.3-v)
V
CC
运作. 这个 设备 是 将 至 替代
这 常规的 驱动器 在 任何 速-核心的 path.
这 小 传播 延迟 是 达到 使用 一个
统一体 增益 放大器 在 这 输入 和 反馈
电阻器 从 输入 至 输出, 这个 准许 这
输出 至 追踪 这 输入 和 一个 小 补偿 电压.
这 设备 能 是 使用 作 四 4-位 缓存区, 二
8-位 缓存区, 或者 一个 16-位 缓存区. 这个 设备
提供 真实 输出 和 对称的 起作用的-低
输出-使能 (oe
) 输入.
这 sn74alb16244 是 典型 为
运作 从 –40
°
c 至 85
°
c.
函数 表格
(各自 缓存区)
输入
输出
OE
一个
Y
L H H
L LL
H X Z
dgg 或者 dl 包装
(顶 视图)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
1OE
1Y1
1Y2
地
1Y3
1Y4
V
CC
2Y1
2Y2
地
2Y3
2Y4
3Y1
3Y2
地
3Y3
3Y4
V
CC
4Y1
4Y2
地
4Y3
4Y4
4OE
2OE
1A1
1A2
地
1A3
1A4
V
CC
2A1
2A2
地
2A3
2A4
3A1
3A2
地
3A3
3A4
V
CC
4A1
4A2
地
4A3
4A4
3OE
版权
1997, 德州 器械 组成公司的
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
widebus 是 一个 商标 的 德州 器械 组成公司的.
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.