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资料编号:131899
 
资料名称:ALD1101
 
文件大小: 29.84K
   
说明
 
介绍:
DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ald1101a/ald1101b 先进的 直线的 设备 2
ALD1101
绝对 最大 比率
流-源 电压, v
DS
13.2v
门-源 电压, v
GS
13.2v
电源 消耗 500 mw
运行 温度 范围 pa, sa 包装 0
°
c 至 +70
°
C
da 包装 -55
°
c 至 +125
°
C
存储 温度 范围 -65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度, 10 秒 +260
°
C
门 门槛
电压 V
T
0.4 0.7 1.0 0.4 0.7 1.0 0.4 0.7 1.0 V I
DS
= 10
µ
一个 v
GS
= v
DS
补偿 电压 V
OS
2 5 10 mV I
DS
= 100
µ
一个 v
GS
= v
DS
V
GS1
- v
GS2
门 门槛 TC
VT
-1.2 -1.2 -1.2 mv/
°
C
温度 逐渐变化
在 流 电流 I
ds (在)
25 40 25 40 25 40 毫安 V
GS
= v
DS
= 5v
跨导 G
fs
5 10 5 10 5 10 mmho V
DS
= 5v i
DS
= 10ma
Mismatch
G
fs
0.5 0.5 0.5 %
输出 G
OS
200 200 200
µ
mho V
DS
= 5v i
DS
= 10ma
Conductance
流 源 R
ds(在)
50 75 50 75 50 75
V
DS
= 0.1v v
GS
= 5v
在 阻抗
流 源
在 阻抗
R
ds(在)
0.5 0.5 0.5 % V
DS
= 0.1v v
GS
= 5v
Mismatch
流 源
损坏 BV
DSS
12 12 12 V I
DS
= 10
µ
一个 v
GS
=0V
电压
止 流 电流 I
ds(止)
0.1 4 0.1 4 0.1 4 nA V
DS
=12v v
GS
= 0v
444
µ
一个
= 125
°
C
门 泄漏 I
GSS
150 150 1 50pA V
DS
=0v v
GS
=12V
电流 10 10 10 nA T
一个
= 125
°
C
输入 C
ISS
6 10 6 10 6 10 pF
电容
运行 电的 特性
T
一个
= 25
°
c 除非 否则 指定
ald 1101a ALD1101B ALD1101 测试
参数 标识 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 情况
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