初步的 数据
九月 1992
TELEMETRY 产品
RF &放大; 微波 TRANSISTORS
.400 SQ 2LFL (m147)
hermetically sealed
.
REFRACTOry/gOLD METALLIZATION
.
EMITTER 站点 BALLASTED
.
LOW 热的 RESISTANCE
.
输入/输出 相一致
.
OVERLAY GEOMETRY
.
metal/陶瓷的 密封的 包装
.
P
输出
=
28 W 最小值 和 6.7 dB 增益
DESCRIPTION
这 am81719-030 是 一个 高 电源 硅 NPN
双极 晶体管 设计 为 类 c, CW com-
munications 和 telemetry 产品 在 这 1.75
- 1.85 GHz 频率 范围.
一个 发射级 站点 ballasted refractory/金 overlay
消逝 geometry computerized 自动 线 使牢固结合
是 运用 至 确保 长 期 可靠性 和
产品 consistency.
am81719-030 是 有提供的 在 这 工业-标准
AMPAC
密封的 metal/陶瓷的 包装.
PIN CONNECTION
BRANDING
81719-030
顺序 代号
am81719-030
绝对 最大 比率
(t
情况
=
25
°
c)
Symbol 参数 值 Unit
P
DISS
电源 Dissipation* 67.3 W
I
C
设备 Current* 2.67 一个
V
CC
集电级-供应 Voltage* 28 V
T
J
接合面 温度 200
°
C
T
STG
存储 温度
−
65 至 +200
°
C
R
th(j-c)
Junction-情况 热的 Resistance* 2.6
°
c/w
*Applies 仅有的 至 评估 RF 放大器 运作
am81719-030
1. 集电级 3. 发射级
2. 根基 4. 根基
热的 数据
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