AO4800
标识 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
30 V
1
T
J
=55°C
5
I
GSS
100 nA
V
gs(th)
0.7 1 1.4 V
I
d(在)
25 一个
22.6 27
T
J
=125°C
33 40
27 32
m
Ω
42 50
m
Ω
g
FS
12 16 S
V
SD
0.71 1 V
I
S
3A
C
iss
858 pF
C
oss
110 pF
C
rss
80 pF
R
g
1.24
Ω
Q
g
9.6 nC
Q
gs
1.65 nC
Q
gd
3nC
t
d(在)
5.7 ns
t
r
13 ns
t
d(止)
37 ns
t
f
4.2 ns
t
rr
身体 二极管 反转 恢复 时间 15.5 ns
Q
rr
身体 二极管 反转 恢复 承担 7.9 nC
转变-止 下降 时间
切换 参数
总的 门 承担
V
GS
=4.5v, v
DS
=15v, i
D
=6.9a
门 源 承担
门 流 承担
转变-在 delaytime
V
GS
=10v, v
DS
=15v, r
L
=2.2
Ω
,
R
GEN
=6
Ω
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 上升 时间
转变-止 delaytime
门 阻抗 V
GS
=0v, v
DS
=0v, f=1mhz
向前 跨导 V
DS
=5v, i
D
=5A
二极管 向前 电压 I
S
=1A
最大 身体-二极管 持续的 电流
动态 参数
输入 电容
V
GS
=0v, v
DS
=15v, f=1mhz
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
=10v, i
D
=6.9a
m
Ω
V
GS
=4.5v, i
D
=6.0a
V
GS
=2.5v, i
D
=5A
门 门槛 电压 V
DS
=V
GS
I
D
=250
µ
一个
在 状态 流 电流 V
GS
=4.5v, v
DS
=5V
V
DS
=24v, v
GS
=0V
µ
一个
门-身体 泄漏 电流 V
DS
=0v, v
GS
=±12V
I
F
=5a, di/dt=100a/
µ
s
I
F
=5a, di/dt=100a/
µ
s
电的 特性 (t
J
=25°c 除非 否则 指出)
参数 情况
静态的 参数
流-源 损坏 电压 I
D
=250
µ
一个, v
GS
=0V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
一个: 这 值 的 r
θ
JA
是 量过的 和 这 设备 挂载 在 1in
2
fr-4 板 和 2oz. 铜, 在 一个 安静的 空气 环境 和 t
一个
=25°c. 这 值
在 任何 一个 给 应用 取决于 在 这 用户's 明确的 板 设计. 这 电流 比率 是 为基础 在 这 t
≤
10s 热的 阻抗 比率.
b: repetitive 比率, 脉冲波 宽度 限制 用 接合面 温度.
c. 这 r
θ
JA
是 这 总 的 这 热的 impedence 从 接合面 至 含铅的 r
θ
JL
和 含铅的 至 包围的.
d. 这 静态的 特性 在 计算数量 1 至 6 是 得到 使用 80
µ
s 脉冲, 职责 循环 0.5% 最大值
e. 这些 tests 是 执行 和 这 设备 挂载 在 1 在
2
fr-4 板 和 2oz. 铜, 在 一个 安静的 空气 环境 和 t
一个
=25°c. 这 soa
曲线 提供 一个 单独的 脉冲波 比率.
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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