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资料编号:137034
 
资料名称:AO4406
 
文件大小: 290.44K
   
说明
 
介绍:
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
 
 


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AO4406
典型 电的 和 热的 特性
0
10
20
30
40
50
012345
V
DS
(伏特)
图 1: 在-区域 特性
I
D
(一个)
V
GS
=1.5v
2V
2.5v
3V
4.5v
10V
0
5
10
15
20
25
30
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
V
GS
(伏特)
图示 2: 转移 特性
I
D
(一个)
0
5
10
15
20
25
30
0 5 10 15 20 25 30
I
D
(一个)
图示 3: 在-阻抗 vs. 流 电流 和
门 电压
R
ds(在)
(m
)
1.0e-05
1.0e-04
1.0e-03
1.0e-02
1.0e-01
1.0e+00
1.0e+01
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V
SD
(伏特)
图示 6: 身体-二极管 特性
I
S
(一个)
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0 25 50 75 100 125 150 175
温度 (°c)
图示 4: 在-阻抗 vs. 接合面
温度
normalized 在-阻抗
V
GS
=2.5v
V
GS
=10V
V
GS
=4.5v
0
10
20
30
40
0.00 2.00 4.00 6.00 8.00 10.00
V
GS
(伏特)
图示 5: 在-阻抗 vs. 门-源 电压
R
ds(在)
(m
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=2.5v
V
GS
=4.5v
V
GS
=10V
I
D
=10A
25°C
125°C
I
D
=10A
V
GS
=0V
alpha 和 omega 半导体, 有限公司.
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