标识
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, t
STG
标识 典型值 最大值
64 83
89 120
R
θ
JL
53 70
W
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态 °c/w
热的 特性
参数 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
t
≤
10s
R
θ
JA
°c/w
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
°c/w
绝对 最大 比率 t
一个
=25°c 除非 否则 指出
V
V±12
搏动 流 电流
B
电源 消耗
一个
T
一个
=25°C
持续的 流
电流
一个
最大 UnitsParameter
T
一个
=25°C
T
一个
=70°C
门-源 电压
流-源 电压 30
I
D
6.4
5.4
30
接合面 和 存储 温度 范围
一个
P
D
°C
1.5
1.08
-55 至 150
T
一个
=70°C
AO8800
一般-流 双 n-频道 增强 模式
地方 效应 晶体管
july 2001
特性
V
DS
(v) = 30v
I
D
= 6.4a
R
ds(在)
< 24m
Ω
(v
GS
= 10v)
R
ds(在)
< 30m
Ω
(v
GS
= 4.5v)
R
ds(在)
< 40m
Ω
(v
GS
= 2.5v)
R
ds(在)
< 70m
Ω
(v
GS
= 1.8v)
一般 描述
这 ao8800 使用 先进的 trench 技术 至
提供 极好的 r
ds(在)
, 低 门 承担 和
运作 和 门 电压 作 低 作 1.8v 当
retaining 一个 12v v
gs(最大值)
比率. 这个 设备 是
合适的 为 使用 作 一个 uni-directional 或者 bi-directional
加载 转变, facilitated 用 它的 一般-流
配置.
G1
S1
S1
d1/d2
G2
S2
S2
d1/d2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
D1
S1
G2
D2
S2
tssop-8
顶 视图
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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