标识
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, t
STG
标识 典型值 最大值
56 62.5
81 110
R
θ
JL
40 48
绝对 最大 比率 t
一个
=25°c 除非 否则 指出
参数 最大 单位
流-源 电压 20 V
门-源 电压 ±8 V
一个
T
一个
=70°C 4.2
搏动 流 电流
B
20
持续的 流
电流
一个
T
一个
=25°C
I
D
5
T
一个
=70°C 1.28
W
电源 消耗
T
一个
=25°C
P
D
2
稳步的-状态
°c/w
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态
°c/w
参数 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
t
≤
10s
R
θ
JA
°c/w
最大 接合面-至-包围的
一个
AO9926
双 n-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管
二月 2003
特性
V
DS
(v) = 20v
I
D
= 5a
R
ds(在)
< 50m
Ω
(v
GS
= 4.5v)
R
ds(在)
< 65m
Ω
(v
GS
= 2.5v)
R
ds(在)
< 90m
Ω
(v
GS
= 1.8v)
一般 描述
这 ao9926 使用 先进的 trench 技术 至
提供 极好的 r
ds(在)
和 低 门 承担. 它们
提供 运作 在 一个 宽 门 驱动 范围 从 1.8v
至 8v. 这 二 设备 将 是 使用 individually, 在
并行的 或者 至 表格 一个 双向的 blocking 转变.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
D1
S1
G2
D2
S2
soic-8
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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