AOD434
标识 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
20 V
1
T
J
=55°C
5
I
GSS
10
µ
一个
BV
GSO
±12 V
V
gs(th)
0.5 0.75 1 V
I
d(在)
30 一个
10.9 14
T
J
=125°C
14.3 18
12.6 16
m
Ω
16.5 21
m
Ω
23.2 30
m
Ω
g
FS
36 S
V
SD
0.73 1 V
I
S
18 一个
C
iss
1810 pF
C
oss
232 pF
C
rss
200 pF
R
g
1.6
Ω
Q
g
(10v)
总的 门 承担 40.1 nC
Q
g
(4.5v)
总的 门 承担 8.9
Q
gs
门 源 承担 1.7 nC
Q
gd
6.2 nC
t
d(在)
4ns
t
r
15 ns
t
d(止)
42.2 ns
t
f
18.2 ns
t
rr
23.2
ns
Q
rr
4.9 nC
这个 产品 有 被 设计 和 qualified 为 这 消费者 market. 产品 或者 使用 作 核心的
组件 在 生命 支持 设备 或者 系统 是 不 被授权的. aos 做 不 假设 任何 责任 产生
输出 的 此类 产品 或者 使用 的 它的 产品. aos reserves 这 正确的 至 改进 产品 设计,
功能 和 可靠性 没有 注意.
流-源 损坏 电压
在 状态 流 电流
I
D
=250
µ
一个, v
GS
=0V
V
GS
=4.5v, v
DS
=5V
V
DS
=0v, i
G
=±250uA
身体 二极管 反转 恢复 时间
身体 二极管 反转 恢复 承担
I
F
=18a, di/dt=100a/
µ
s
V
GS
=10v, i
D
=18A
反转 转移 电容
I
F
=18a, di/dt=100a/
µ
s
转变-在 上升 时间
转变-止 delaytime
V
GS
=10v, v
DS
=10v, r
L
=0.56
Ω
,
R
GEN
=3
Ω
转变-止 下降 时间
电的 特性 (t
J
=25°c 除非 否则 指出)
静态的 参数
参数 情况
I
DSS
µ
一个
门 门槛 电压 V
DS
=V
GS
I
D
=250
µ
一个
V
DS
=16v, v
GS
=0V
V
DS
=0v, v
GS
=±10V
零 门 电压 流 电流
门-身体 泄漏 电流
门-源 损坏 电压
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
向前 跨导
二极管 向前 电压
转变-在 delaytime
V
GS
=10v, v
DS
=10v, i
D
=18A
V
GS
=0v, v
DS
=10v, f=1mhz
切换 参数
门 流 承担
门 阻抗 V
GS
=0v, v
DS
=0v, f=1mhz
最大 身体-二极管 持续的 电流
输入 电容
输出 电容
动态 参数
m
Ω
V
GS
=1.8v, i
D
=5A
I
S
=1a,v
GS
=0V
V
DS
=5v, i
D
=18A
V
GS
=4.5v, i
D
=15A
V
GS
=2.5v, i
D
=10A
一个: 这 值 的 r
θ
JA
是 量过的 和 这 设备 挂载 在 1in
2
fr-4 板 和 2oz. 铜, 在 一个 安静的 空气 环境 和 t
一个
=25°c. 这 电源
消耗 p
DSM
是 为基础 在 r
θ
JA
和 这 最大 允许 接合面 温度 的 150°c. 这 值 在 任何 给 应用 取决于 在 这
用户's 明确的 板 设计, 和 这 最大 温度
的
175°c 将 是 使用 如果 这 pcb 准许 它.
b. 这 电源 消耗 p
D
是 为基础 在 t
j(最大值)
=175°c, 使用 接合面-至-情况 热的 阻抗, 和 是 更多 有用的 在 设置 这 upper 消耗
限制 为 具体情况 在哪里 额外的 heatsinking 是 使用.
c: repetitive 比率, 脉冲波 宽度 限制 用 接合面 温度 t
j(最大值)
=175°c.
d. 这 r
θ
JA
是 这 总 的 这 热的 impedence 从 接合面 至 情况 r
θ
JC
和 情况 至 包围的.
e. 这 静态的 特性 在 计算数量 1 至 6 是 得到 使用 <300
µ
s 脉冲, 职责 循环 0.5% 最大值
f. 这些 tests 是 执行 和 这 设备 挂载 在 1 在
2
fr-4 板 和 2oz. 铜, 在 一个 安静的 空气 环境 和 t
一个
=25°c. 这 soa 曲线
提供 一个 单独的 脉冲波 比率.
g. 这 最大 电流 比率 是 限制 用 bond-线.
rev 3 : july 2005
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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