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资料编号:137091
 
资料名称:AOD442
 
文件大小: 338.63K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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aod442. aod442l
典型 电的 和 热的 特性
0
10
20
30
40
50
60
012345
V
DS
(伏特)
图 1: 在-区域 特性
I
D
(一个)
V
GS
=3V
3.5v
4V
4.5v
10V
0
10
20
30
40
50
2 2.5 3 3.5 4
V
GS
(伏特)
图示 2: 转移 特性
I
D
(一个)
14
16
18
20
22
24
0 10203040
I
D
(一个)
图示 3: 在-阻抗 vs. 流 电流 和
门 电压
R
ds(在)
(m
)
1.0e-05
1.0e-04
1.0e-03
1.0e-02
1.0e-01
1.0e+00
1.0e+01
1.0e+02
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V
SD
(伏特)
图示 6: 身体-二极管 特性
I
S
(一个)
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
0 25 50 75 100 125 150 175
温度 (°c)
图示 4: 在-阻抗 vs. 接合面
温度
normalized 在-阻抗
V
GS
=10V
V
GS
=4.5v
I
D
=20A
I
D
=20A
10
20
30
40
50
246810
V
GS
(伏特)
图示 5: 在-阻抗 vs. 门-源 电压
R
ds(在)
(m
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5v
V
GS
=10V
I
D
=20A
25°C
125°C
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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