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资料编号:137762
 
资料名称:AP9962M
 
文件大小: 75.83K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
 
 


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电的 characteristics@t
j
=25
o
c(除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
=0v, i
D
=250uA 40 - - V
Δ
B
V
DSS
/
Δ
T
j
损坏 电压 温度 系数
涉及 至 25
, i
D
=1mA - 0.1 - v/
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
2
V
GS
=10v, i
D
=7A - - 25
m
Ω
V
GS
=4.5v, i
D
=5A - - 40
m
Ω
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
=V
GS
, i
D
=250uA 1 - 3 V
g
fs
向前 跨导 V
DS
=10v, i
D
=7A - 11 - S
I
DSS
流-源 泄漏 电流 (t
j
=25
o
c)
V
DS
=40v, v
GS
=0V - - 1
uA
流-源 泄漏 电流 (t
j
=70
o
c)
V
DS
=32v ,v
GS
=0V - - 25
uA
I
GSS
门-源 泄漏 V
GS
=--
nA
Q
g
总的 门 承担
2
I
D
=7A - 25.8 -
nC
Q
gs
门-源 承担 V
DS
=32V - 4.4 -
nC
Q
gd
门-流 ("miller") 承担 V
GS
=4.5v - 9.1 -
nC
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
2
V
DS
=20V - 10.6 -
ns
t
r
上升 时间 I
D
=1A - 6.8 -
ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 R
G
=5.7
Ω
,
V
GS
=10V - 26.3 -
ns
t
f
下降 时间 R
D
=20
Ω
-12-
ns
C
iss
输入 电容 V
GS
=0V - 1165 -
pF
C
oss
输出 电容 V
DS
=25V - 205 -
pF
C
rss
反转 转移 电容 f=1.0mhz - 142 -
pF
源-流 二极管
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
SD
向前 在 电压
2
I
S
=1.7a, v
GS
=0V - - 1.2 V
t
rr 反转 恢复 时间 是=1.7a,
V
GS=0
V
, - 21.2 - ns
Qrr 反转 恢复 承担 di/dt=100a/µs - 16 - nC
注释:
1.脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度.
2.脉冲波 宽度 <
300us , 职责 循环 <2%.
3.表面 挂载 在 1 在
2
铜 垫子 的 fr4 板 ; 135
/w 当 挂载 在 最小值 铜 垫子.
AP9962M
± 20v
±
100
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